Поликристаллическая пленка

Cтраница 3

Такая Зависимость структуры от толщины поликристаллических пленок кремния, полученных МЛО, влияет на характеристики транзисторов, когда они изготавливаются на основе этих пленок. [31]

Вшьт-аыперные xa. pl для элементов Au / PcZn / AI. Из рактеристик проведены в вакууь рт. ет.. [32]

Мг, который наносится на поликристаллическую пленку металлфталоцианина. [33]

При дальнейшем повышении концентрации примесей образуются поликристаллические пленки. [34]

Схема с общим эмиттером.| Схема с общим коллектором. [35]

Тоикопленочные схемы получаются путем вакуумного напыления поликристаллической пленки. При этом получаются высокостабильиые надежные соединения, сопротивления и емкости с широким диапазоном номинальных значений. [36]

Выращивание монокристаллов, моно - или поликристаллических пленок производится на кристаллических, а иногда и на аморфных затравках или подложках. [37]

Астроида критических полей. [38]

При этом большинство отмеченных выше недостатков пер-маллоевых поликристаллических пленок исчезает, а в отношении технологичности, воспроизводимости свойств и особенно в отношении стоимости элементов аморфные пленки имеют бесспорные преимущества. [39]

В настоящей статье описываются физические свойства поликристаллических пленок кремния, нанесенных на стеклянные подложки испарением в сверхвысоком вакууме, а также их применение в элементах переключения на жидких кристаллах. В статье рассматриваются также кольцевые генераторы на ТПТ, изготовленные путем нанесения пленок поликристаллического кремния в высоком вакууме. [40]

Границы, разделяющие кристаллические зерна в поликристаллической пленке, возникают в результате нарушения ориентации соседних кристаллитов на коалесцентной стадии роста пленки. Они, как правило, представляют собой области с высокой плотностью дефектов и примесей, сегрегированных из зерен в процессе роста. [41]

В этих условиях, наряду с поликристаллической пленкой, образуются монокристальные слои с ориентацией плоскостью ( 100) параллельно подкладке. Об этом свидетельствует точечная картина, накладывающаяся на систему дебаевских колец. Некоторые слабые отражения, не относящиеся к интерференциям от металла, интерпретируются как результат рассеяния электронов от кристалликов NaCl, оставшейся на поверхности алюминиевой пленки после недостаточного промывания. Наличие отражений от NaCl позволило установить, что в пределах точности эксперимента постоянная решетки алюминия имеет нормальное значение. [42]

Для сравнения отметим, что в поликристаллических пленках подвижность носителей не превышает 100 см2 / в - сек. Здесь обращает на себя внимание то, что при tK 480 - 500 С тип проводимости пленок меняется. [43]

По данным Берцовой и др. [132], поликристаллические пленки германия, полученные пиролизом германа на ситалле, имеют следующие характеристики: р 0 1 - 1 ом-см, ц 200 - 500 см. / в-сек и концентрацию носителей от 2 - Ю16 до 8 - Ю17 см-3. Лучшими электрическими свойствами обладают пленки, выращенные при температуре 600 С, давлении 0 1 мм рпг. [44]

Устройство и схема включения фоторезистора. [45]

Страницы: 1 2 3 4