Поликристаллическая пленка
Cтраница 4
Активный слой выполняется в виде монокристаллических или поликристаллических пленок и таблеток. Промышленностью освоены способы получения пленок напылением в вакууме и осаждением из суспензий. [46]
Менее важную роль играет исследование полностью неориентированных поликристаллических пленок, дающих дебаевские кольца равномерной интен сивности при расположении образца как перпендикулярно, так и наклонно по отношению к электронному пучку. Это объясняется тем, что, во-первых, такие случаи встречаются редко, и, во-вторых, тем, что использование электро-нографических методов для исследования указанного типа образцов не дает никаких преимуществ по сравнению с рентгенографическим анализом. [47]
Вольский и др. [221] изучили лишь характеристики поликристаллических пленок, полученных на кварцевых подложках. Как и у вакуумных конденсатов, концентрация носителей в пленках изменяется от 54017 до 3 - Ю18 см-3, а их подвижность от 25 до 190 см / в-сек. Пленки обычно обладают р-проводимостью. [48]
 |
Схематическое изображение поликристаллической пленки, напыленной при высокой температуре. [49] |
Несомненно, однако, что на поверхности поликристаллических пленок толщиной 100 - 200 нм, напыленных при низкой температуре, присутствует значительное количество высокоиндексных граней, и это тем вероятнее, чем более тугоплавок металл. Следовательно, на поверхности имеются высокоиндексные грани, для которых характерна пониженная работа выхода. [50]
Установки для осаждения тугоплавких материалов, наращивания эпитаксиальных и поликристаллических пленок и другие, очень похожи на печи для проведения диффузии. [51]
На рис. 3.7 приведены значения показателей преломления аморфных и поликристаллических пленок. Исследование авторами влияния отжига на показатель преломления пленок показало, что заметная кристаллизация происходит в интервале температур от 575 до 690 С На рис 3 7 представлены также спектральные зависимости коэффициента поглощения света в аморфных и поликристаллических кремниевых пленках. [53]
В основе этой модели лежит представление о тонкой поликристаллической пленке как структуре, которая состоит из микрокристаллитов, разделенных тонкими прослойками вещества с другими свойствами. В результате в микрокристаллите или на его границе с прослойкой образуется р-га-переход или гетеропереход. При приложении электрического смещения ток частично проходит по прослойкам, обходя микрокристаллиты из-за заметного сопротивления возникших барьеров. [54]
В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [55]
 |
Структура ППТ ( а и вольтамперные характеристики триодов в режиме обогащения ( б и обеднения ( я. [56] |
Для изготовления пленочной части микроэлектронных схем обычно используют аморфные и поликристаллические пленки. [57]
После растворения элементного селена, находящегося на поверхности поликристаллических пленок селенида кадмия, в 0 1 М растворе Na2S03 его окисляют до селена ( 1У) и определяют с помощью реакции каталитического восстановления продукта конденсации 2 3-диаминофеназина с глиоксалем. [58]
Важным инструментом для измерения оптических постоянных и толщины поликристаллических пленок становится спектроскопическая эллипсометрия. [59]
Некогерентный характер рассеяния и незеркальность отражения и пропускания тонких поликристаллических пленок затрудняют измерения в них оптических характеристик. Данные, получаемые с помощью обычных спектрофотометров, в которых используются приемники с малой апертурой ( примерно / / 10), относятся лишь к зеркальной компоненте пропускания, в то время как в солнечном элементе, для применения в котором предназначена такая пленка, полезный вклад будет также вносить и рассеянный свет. [60]
Страницы: 1 2 3 4