Поликристаллическая пленка

Cтраница 2

В пермаллоевых поликристаллических пленках обнаружено возникновение ряби намагниченности - квазипериодической структуры намагниченности с периодом порядка нескольких микрон. Полное подавление ряби оказалось невозможным, поскольку она обусловлена влиянием естественной кристаллографической анизотропии отдельных кристаллитов поликристаллического образца. [16]

С образуются поликристаллические пленки. При еще более низкой температуре осаждаются аморфные пленки. [17]

При исследовании поликристаллических пленок п-терфенила [60] было показано, что амплитуда импульсов напряжения растет линейно с увеличением тянущего поля. Это указывает на то, что до коллекторного электрода доходит только часть генерируемых в слое ионизации носителей. [18]

В области роста поликристаллических пленок происходит адсорбция обоих видов. [19]

Темновые зависимости концентрации и подвижности свободных электронов от температуры трех плеиок CdS, осажденных методом термического испарения в вакууме на подложке из рутила при различных температурах Ts в процессе осаждения.| Температурные зависимости концентрации и подвижности электронов в пленке CdS, полученной методом пиролиза, при различных освещенностях L ( L 1 соответствует освещению вольфрамовой лампой при 50 мВт / см2. Подвижность при низкой температуре соответствует туннельному механизму прохождения через потенциальный межкристаллитный барьер [ Wu С., Bube R. H. / / J. Appl. Phys, 1974, vol. 45 ]. [20]

Подвижность электронов в поликристаллических пленках CdS изменяется при положении электрического поля. Под воздействием напряжения значение V на межкристаллитных границах существенно снижается за счет взаимодействия индуцированного заряда с зарядом на барьерах. На рис. 6.11 приведены температурные зависимости подвижностей электронов в пленках CdS, полученных методом термического испарения в вакууме, при различных значениях приложенного напряжения. Это потенциально важный эффект, когда границы зерен проходят через обедненные слои в р-л-переходах солнечных элементов. [21]

При выборе метода исследования поликристаллических пленок и пленочных композиций необходимо учитывать особенности их структуры, изменяющейся в весьма широких пределах. Поэтому для получения разносторонней и корректной информации о структуре следует применять целый комплекс современных методов исследования-рентгенодифрактометрию, малоугловое рассеяние рентгеновских лучей, электронную, растровую и автоионную микроскопию. [22]

В темновых условиях проводимость поликристаллических пленок ограничивается в большинстве случаев барьерами на межкристаллитных границах. Освещение снижает потенциалы границ и приводит к существенному увеличению проводимости образцов Si, иногда сводя на нет влияние барьеров между зернами. При освещении определяющим становится механизм рекомбинации, однако в общем случае учет влияния рекомбинации на перенос носителей заряда требует решения трехмерной задачи. [23]

Путем исследования рассеяния электронов поликристаллическими пленками фтористого калия найдены экспериментальные значения формфакторов связанных атомов калия и фтора. Построено распределение потенциала в основных кристаллографических направлениях в решетке фтористого калия. [24]

Такие структуры возникают в поликристаллических пленках с аксиальной текстурой, в ряде монокристаллических пленок с осью симметрии кристаллической решетки, перпендикулярной поверхности пленки. [25]

Как видно из таблицы, поликристаллические пленки используются во многих приборах [27], но их замена гетероэпитаксиальными в большинстве случаев была бы весьма эффективной. Необходимо дальнейшее совершенствование методов программированных температурных режимов и промежуточных слоев из другого вещества, которые бы компенсировали несоответствия решеток и способствовали реализации двумерного роста при гетероэпитаксии. [26]

Образование дифракционных колец при прохождении рентгеновских лучей через тонкий слой кристаллического порошка. RiRz - направление падающих лучей, DiD2 - экран. Отраженные от кристаллов под углом лучи образуют на экране круг радиуса Ro tg 2 ( м, являющийся сечением конуса с углом 4 при вершине. Каждый дифракционный круг будет обязан своим возникновением граням кристаллов, для которых выполняется условие Брегга - Вульфа. [27]

Дифракционные картины от монокристалла и поликристаллической пленки отличаются тем, что каждому пятну ( максимуму интенсивности), получающемуся в первом случае, соответствует дифракционное кольцо во втором случае. [28]

Как видно, предельные характеристики исследованных поликристаллических пленок достигают 0 35 - 0 63 прочности усов, близкой к теоретическим оценкам. Уровень прочности пленок недостижим для массивных металлургических металлов, упрочненных известными способами. [29]

Электрические свойства пленок кремния, полученных МЛО. [30]

Страницы: 1 2 3 4