Монокристаллическая пленка

Cтраница 1

Монокристаллическая пленка позволяет использовать все методы пленарной технологии для получения компонентов. При этом с помощью фотолитографии можно осуществлять травление кремния таким образом, что одия компонент ( транзистор, диод) оказывается полностью изолированным от другого сопротивлением подложки, а соединение элементов осуществляется при помощи металлизации и селективного травления, как и в интегральных полупроводниковых схемах. [1]

Монокристаллические пленки на диэлектрической подложке получают двумя методами: реотаксией и эпитаксией. [2]

Монокристаллические пленки ( ферриты-гранаты и др.) получают эпитаксиальным методом - путем химического осаждения из паровой фазы на подложку из немагнитного, например гадолиниево-галлиевого, граната. [3]

Электроннограмма для пленки 0 - SiC, образованной при химическом превращении Si ( 110 при 950 С. Внешние полосы относятся к 0 - SIC, внутренние слабые полосы к Si. [4]

Монокристаллическая пленка P-SiC растет в параллельной ориентации на кремниевой подложке, независимо от ориентации последней. Эпитак-сиальный процесс происходит в температурном интервале от 800 до 1100 С. Пленки, полученные при температуре выше 900 С, структурно более совершенны, чем полученные при пониженных температурах. Получены такие эпитаксиальные соотношения: ( 110) SiC ( НО) Si и [ ill ] SiC [111] Si. На подложке Si ( 111) пленка SiC имеет кубическую структуру. [5]

Монокристаллические пленки Fe, NiFe, Co, MnBi приготовляются методом эпитаксии. [6]

Зависимость подвижности электронов от состава твердых растворов системы GaAs-QaP.| Зависимость удельной теплопроводности от состава твердых растворов соединений AlllBv. [7]

Монокристаллические пленки твердых растворов с высокой степенью гомогенности могут быть получены осаждением на подложку с использованием газотранспортных химических реакций. [8]

Монокристаллические пленки ферритов кобальта, меди, марганца и других ферритов со структурой шпинели были получены методом химического транспорта в малом зазоре. В качестве подложек использовались сколотые по плоскости ( 001) монокристаллы окиси магния. Газом-переносчиком служил НС1, давление которого составляло 5 - 8 мм рт. ст. Пленки выращивались из шихты, приготовленной из соответствующих окислов, имели зеркальную поверхность и параллельную подложке ориентацию. [9]

Монокристаллические пленки сульфида цинка из диэтилцинка и сероводорода были получены при температуре 750 С, а теллурида цинка - из. Эпитаксиальные слои сульфида, селенида и теллурида кадмия с использованием диметилкадмия были получены на различных подложках при температуре 475, 600 и 500 С соответственно. Надо отметить, что температуру проведения процесса получения халькогеныдов цинка и кадмия следует рассматривать как ориентировочную, а не оптимальную, и требуются дальнейшие работы для совершенствования этого процесса. [10]

Рост монокристаллических пленок вообще связан со структурными лсфекгами, такими как дислокации, двойникова-ние и дефекты упаковки. Непосредственное наблюдение дает подробную информацию о природе и источниках таких дефектов. Эти сведения могут быть более подробными, если этот метод исследования совмещают с наблюдением муаровых картин, образовавшихся между пленкой и подложкой. В таких условиях адсорбция остаточных газов на подложке или на растущей пленке может оказывать основное влияние на характер зародышеобразования и рост тонких пленок. Следовательно, процесс жидкообразного срастания может быть подвержен влиянию остаточных газов, определяющих в значительной степени, окончательную структуру пленки. Это обусловливает необходимость электронно-микроскопических исследований в процессе роста пленок в условиях более высокого вакуума. Попа [252] и Вэлдре и др. [256] предложили видоизмененные камеры для образцов, в которых можно проводить осаждение в условиях сверхвысокого вакуума; о результатах их применения для изучения зародышеобразования и роста монокристаллических пленок не сообщалось. [11]

Схема магнитооптического воспроизведения на экране двумерной картинки с помощью управляемого транспаранта. [12]

Нагревание монокристаллической пленки ферритграната в этих структурах происходит не лазерным излучением, а током, проходящим через прозрачный фотопроводник, нанесенный на пленку и находящийся между прозрачными электродами. При записи ток проходит только в освещаемой области, причем температура монокристаллической пленки ферритграната повышается, а намагниченность становится отличной от нуля и при наличии внешнего поля ячейка переключается. [13]

Рассмотрим монокристаллическую пленку с ориентацией ( 011), которая дает отражения от ( 111) и ( 111) - плоскостеп. [14]

В сплошной монокристаллической пленке кремния канавки протравливаются до подложки, и образуется система электрически изолированных друг от друга островков. [15]

Страницы: 1 2 3 4