Cтраница 4
При температуре выше 480 С образуются монокристаллические пленки с кубической структурой. Пленка кобальта с кубической структурой растет в параллельной ориентации на подложке NaCl, хотя это связано с дефектами упаковки и двойникованием. Хонма и Вэймен [117] наблюдали, что пленки Со на подложках NaCl и КС. С имеют в основном гране-центрированную кубическую структуру, хотя объемный материал является стабильным при температуре ниже 420е С только в гексагональной плотноупакованной форме. [46]
При таком методе легирования были получены монокристаллические пленки InSb га - и р-типов с концентрацией электронов ( дырок) п ( 1 - 10 в - 1 - Ю18) см-3 и р ( 1 - 10 в-1 - Ю18) см-3 соответственно. [47]
Кристаллизацией из газовой фазы успешно выращиваются сильно легированные монокристаллические пленки кремния [108], арсенида галлия [109, 110] и ряда других полупроводников. [48]
К самостоятельной области техники относится получение монокристаллических пленок из металлов и полупроводников на ионных монокристаллах Nad, KC1 и других. [49]
В таблице приведены основные параметры нескольких монокристаллических пленок InSb п - и р-типов. [50]
Проводится обобщение имеющихся литературных данных о монокристаллических пленках феррит-шпинелей как магнитооптических средах, анализируются результаты исследований доменной структуры пленок, прозрачных в видимом диапазоне длин волн, рассматриваются возможности применения этих объектов в качестве магнитного носителя для термомагнитной записи, а также перспективы пленок феррит-шпинелей как ЦМД-материалов. [51]
Достижения последних лет в области эпитаксиального выращивания монокристаллических пленок открывают перспективы создания многослойных структур, при этом наиболее интересных результатов можно ожидать при использовании гетерогенных структур. Использование компонент с различной зонной структурой, различными оптическими постоянными обусловливает богатое сочетание электрофизических явлений в пределах одной структуры. Фоточувствительность и излучение в узкой полосе частот в различных областях спектра, несимметричность потенциальных барьеров для электронов и дырок, различного рода нестабильности позволяют эффективно вести поиск новых путей создания компонентов радиоаппаратуры. [52]
Эта глава посвящена изучению роста и структуры монокристаллических пленок многих материалов: металлов, сплавов, полупроводников и изоляторов. Большая часть результатов относится к пленкам, полученным испарением в вакууме. Здесь будут рассмотрены также пленки, полученные и другими методами, такими как метод дискретного взывного испарения и осаждение из газовой фазы. Хотя различные методы дают возможность получать пленки различных степени совершенства, структур и ориентации, тем не менее все они обеспечивают понимание основных процессов образования монокристаллических пленок. [53]