Монокристаллическая пленка

Cтраница 3

Показано [93] - лто монокристаллические пленки CdS кубической структуры могут быть выращены на плоскости 111 фосфористой стороны GaP методом переноса через газовую фазу. [31]

Хотя и удается получать весьма совершенные монокристаллические пленки халькогенидов свинца, механизм их образования не вполне ясен. Существует большая неопределенность в зависимости степени кристалличности от температуры подложки; мало известно о влиянии материала подложки на рост пленки и ее электрические свойства. [32]

Достоинство этого метода выращивания монокристаллической пленки из газовой фазы состоит в том, что процесс выращивания пленки и распределения в ней примесей протекает при относительно невысоких температурах, когда диффузионными процессами, нарушающими заданное распределение примесей, можно пренебречь. [33]

Первая имела место на монокристаллической пленке Pd, конденсированной на плоскости скола NaCl, вторая - на палладиевом листе. Поскольку ориентировки PdO на Pd существенно отличаются от наблюдаемых при окислении других металлов с решеткой К12 и так как состояние поверхности Pd не исследовалось, эти данные требуют проверки. [34]

Стирлэнд [51] показал, что монокристаллические пленки Аи могут быть получены на подложках Nad, сколотых в вакууме при 150 С, если перед осаждением проводилась электронная бомбардировка. Обнаружено, что тонкие пленки, подвергнутые бомбардировке, содержат большее, чем в обычной пленке количество маленьких островков. Ориентация пленки, подвергнутой электронной бомбардировке, была ( 100) [110] Аи ( 100) i I lOJ NaCI, в то время как пленки, не подвергавшиеся бомбардировке, кроме параллельной ориентации, имели несколько дополнительных ориентации, таких как ( 111) [ 1101 Аи 1 ( 100) [ llOi NaCI и ( 111) [ ПО ] Au j ( 100) 1110 ] NaCI. Совсем недавно Пальмберг и др. [101, 102] показали, что образование монокристаллнческих пленок Аи и Ag сильно зависит от отработки поверхности подложки электронным - лучом перед осаждением. Монокристаллическне пленки Аи и Ag в параллельной ориентации были получены на поверхности КС. Как видно, эпитзксиальное осаждение при одно: 1 температуре достигается в достаточно узком температурном интервале, соответствующем наклону линии в 45е, включающем эпитаксиальную область. Для температуры роста ниже 125 С ориентация пленки нарушается. Он показал, что электрическое поле - 100 В / см, приложенное нормально к поверхности осаждаемой пленки Ag, обеспечивает параллельную ориентацию на свежесколотой подложке NaCI при 200 С, в то время как подобная пленка без электрического поля имеет поликрнсталлическне свойства. [35]

В качестве магнитооптических преобразователей используют висмутсодержащие монокристаллические пленки феррит-гранатов ( Вс-МПФГ), обладающие гигантским фарадеевским вращением плоскости поляризации проходящего через них света. Их использование основано на магнитооптической визуализации пространственно-неоднородных магнитных полей, которая с успехом применяется для неразрушающей дефектоскопии магнитных и немагнитных проводящих материалов и ряда близких по физической сущности методов иного назначения. [36]

Для изучения роста и структуры монокристаллических пленок необходима подробная информация о состоянии поверхности подложки, ча которой происходит зародышеобразование пленки и рост, а также информация о кристаллической структуре и кристаллографической ориентации пленок на начальных и последующих стадиях роста пленки Для структурных исследований в процессе роста применяются методы: дифракция электронов низкой и высокой энергии, электронная микроскопия, рентгеновская дифракция и эмиссионная микроскопия. В этом разделе будут кратко рассмотрены достоинства этих методов, насколько это касается роста монокристаллических пленок. [37]

В [252, 259] представлены результаты исследований монокристаллических пленок р - Bio 5Sbi5Te3 на слюде с набором концентраций рх 5 - Ю18 - - 8 - 1019 см-3. Температурные зави-сшйости кинетических коэффициентов позволяют выделить две группы образцов. К первой группе относятся образцы с рх 3 - Ю19 см-3, а ко второй - образцы с рх ] 3 - Ю19 см-3. Для первой группы пленок в поведении кинетических эффектов не обнаружено никаких аномалий. [38]

В [252, 259] представлены результаты исследований монокристаллических пленок р - Bio 5Sbi5Te3 на слюде с набором концентраций рх 5 - Ю18 - - 8 - 1019 см-3. Температурные зави-си ости кинетических коэффициентов позволяют выделить две группы образцов. [39]

Структура пленки кремния, осажденной способом пиролитического разложения SiH4 на монокристалле кремния ( 100. [40]

Часто высокая температура способствует росту монокристаллической пленки, поскольку это повышает степень подвижности атомов на поверхности подложки и тем самым определяет упорядоченность структуры. [41]

Наиболее широко используемым процессом получения монокристаллических пленок является чпитаксия Этот процесс известен уже сто лет и изучается со времени открытия явления электронной дифракции. При этом имеется множество кристаллогрифически эквивалентных ориентационных соотношений, при которых монокристаллического роста не происходит. [42]

Рассматриваются некоторые вопросы кинетики роста монокристаллических пленок редкоземельных феррит-гранатов и их физические свойства. Приводятся условия, позволяющие получать пленки с воспроизводимыми свойствами. Исследуются: зависимость коэффициента распределения галлия, температурная зависимость основных магнитных параметров, подвижность доменных стенок и ЦМД, влияние дефектов на доменную структуру и зависимость диаметра ЦМД от поля смещения. [43]

Механизм образования дефектов решетки в монокристаллических пленках недостаточно ясен. Хотя и рассмотрен ряд механизмов, однако экспериментального подтверждения ни один из них не получил. Установлено, что жидкостная коалесценция приводит к рекристаллизации и переориентации первоначальных зародышей, особенно, если они небольшие. Это учитывается при рассмотрении любого механизма генерации дефектов решетки в растущих пленках. Коалесценция зародышей и островков увеличивает дефекты, сглаживающие несоответствие параметров решеток. В последних исследованиях Джессера и Мэтьюса показано, что образование дислокаций несоответствия и дефектов упаковки происходит в результате появления напряжений осажденного слоя. [44]

С помощью электронного микроскопа на монокристаллических пленках, травленых в фосфорной кислоте Танака и Хонийо [31], а также Лезгинцева [39] детально изучали поведение сегнето-электрических доменов 90 - и 180-градусной ориентации. [45]

Страницы: 1 2 3 4