Cтраница 2
Возможность получения монокристаллических пленок при эпитаксической кристаллизации исследована не только у чистых металлов, но и у некоторых двухкомпонентных систем: твердых растворов и интерметаллических соединений. Разработка методик получения монокристаллических пленок сплавов представляет большое значение не только для научных, но и многих практических целей. [16]
Для получения монокристаллической пленки необходимо испарять вначале Си, а затем Zn. При обратном порядке образуется поликристаллический образец. [17]
Возможно получение монокристаллических пленок медленным эпитаксиальным наращиванием ( см. § 6 гл. [18]
Для получения монокристаллических пленок ВаТЮ3 толщиной до 1 5 мк и площадью 1x2 мм Ласт [22] предлагает травление монокристаллов ВаТЮ3 толщиной около 100 мк фосфорной кислотой, нагретой выше температуры Кюри титаната бария, с тем, чтобы предотвратить селективное травление доменов. В кубической фазе при 130 С травление протекает очень гладко со скоростью примерно один микрон в минуту. [19]
Для получения монокристаллических пленок кремния на подложке из сапфира ( - модификация А12О3), имеющего почти такие же, как у кремния, параметры кристаллической решетки, используют метод вакуумного осаждения в высоком вакууме ( 10 - 9 мм рт. ст.) или метод газотранспортных реакций. Низкое давление ( 10 - 9 мм рт. ст.) при вакуумном осаждении необходимо для того, чтобы не происходило окисление кремния в процессе испарения. [20]
Для получения тонких монокристаллических пленок эпитакси-альных слоев можно использовать три основных технологических, метода: газофазные реакции, вакуумное осаждение и кристаллизацию из жидкой фазы. В настоящее время при изготовлении эпитак-сиальных полупроводниковых приборов в основном применяются газофазные реакции. Для эпитаксиального синтеза успешно используются реакции восстановления хлоридов германия и кремния, главным образом тетрахлоридов - СеСЦ, SiCl4, - водородом до-чистых элементов, осаждавшихся в монокристаллической затравке, а также йодидный процесс - осаждение на затравку пленок германия и кремния из паров дийодидов GeJ2, SiJ2 в результате реакции диспропорционирования. [21]
Широкое применение получили монокристаллические пленки, выращенные на кристаллических подложках и имеющие решетку, определенным образом ориентированную относительно решетки подложки. Такой ориентированный рост пленок называют эпитак-сией, а сами пленки - эпитаксиальными. Выращивание пленок из того же вещества, из которого состоит кристалл подложки, называют автоэпитаксией, выращивание из другого вещества - гетеро-эпитаксией. Для того чтобы был возможен эпитаксиальный рост пленки, необходима определенная степень соответствия кристаллической структуры материалов пленки и подложки. Иными словами, равновесные расстояния между атомами и их взаимное расположение в кристаллах пленки и подложки должны быть близкими. Кроме того, чтобы атомы в зародышах могли выстроиться в правильную структуру, они должны обладать достаточно высокой поверхностной подвижностью, что может быть обеспечено при высокой температуре подложки. Особое значение для ориентированного роста имеют одноатомные ступеньки на подложке, заменяющие зародыши, так как на них адсорбированные атомы попадают в устойчивое состояние с высокой энергией связи. Эпитаксиальная пленка растет в первую очередь путем распространения ступенек на всю площадь подложки. В простейшем случае они представляют собой одноатомную. [22]
Установлено, что монокристаллические пленки гранатов, которые имеют в интервале 20 - 80 С изменение характеристической длины, не превышающее 0 3 % на градус, удовлетворяют требованию температурной стабильности ЦМД и могут быть применены в соответствующих устройствах. [23]
Установлено, что тонкие монокристаллические пленки ряда ферритов-шпинелей, выращенных методом химического транспорта в малом зазоре между источником и подложкой MgO, в результате напряжений могут иметь ось легчайшего намагничивания, параллельную нормали к плоскости пленки. В отсутствие внешнего магнитного поля пленки находятся в многодомениом состоянии. Методам порошковых фигур в пленках выявлена доменная структура лабиринтного типа. [24]
Имеющиеся способы получения монокристаллических пленок путем напыления в вакууме ( напыление на монокристаллические подложки, напыление на аморфные подложки с помощью системы неподвижной и подвижной масок и некоторые другие) не являются эффективными в серийном производстве либо из-за высокой стоимости подложек, либо из-за низкой производительности процесса. Кроме того, возникают трудности, связанные с необходимостью сильного нагрева подложек в процессе осаждения ( для получения высокой подвижности атомов на поверхности подложки), а также сложность введения строго дозированного количества примесей из-за явлений фракционирования и сегрегации. [25]
Для изучения образования монокристаллических пленок широко используются методы электронной дифракции и электронной микроскопии. Этим методом получают дифракционные картины пленки и подложки, что облегчает определение кристаллографических ориентации. Подобно методу дифракции электронов высоких энергий, этот метод является простым средством обнаружения структурных превращений в зависимости от толщины пленки. Однако этот метод не пригоден для изучения роста тонких пленок, особенно на начальной стадии. [26]
Перестройка микродоменной структуры монокристаллических пленок магниевого и магний-марганцевого ферритов. [27]
Монокристаллический poci Выращивание монокристаллических пленок сплавов, включая магнитные сплавы, проводилось на NaCI и других монг. [28]
Перестройка микродоменной структуры монокристаллических пленок Mg-и Mg - Мп-ферритов. [29]
Нередко требуется вырастить монокристаллическую пленку заданного вещества на поверхности другого твердого вещества, кристаллографические и физико-химические свойства которого более или менее резко отличаются от свойств выращиваемого вещества. [30]