Осаждаемая пленка
Cтраница 1
 |
Коэффициенты диффузии. [1] |
Осаждаемые пленки представляют собой аморфный диэлектрик, иногда содержащий до 8 % ( мае. [2]
Медленно осаждаемые пленки обнаруживают максимум инфракрасного поглощения, близкий к А 8 - - 9 мк ( типичен для кварца), тогда как быстро осажденные пленки имеют максимум поглощения при Я10 мк. [3]
 |
Схематическое изображение тон - ИЗ фОЛЬГИ ТОЛЩИНОЙ В НбСКОЛЬКО. [4] |
Сопротивление осаждаемой пленки можно контролировать в процессе осаждения, если в установку для осаждения одновременно с обрабатываемой пластиной поместить контрольный образец в виде диэлектрической пластины с двумя контактными площадками, от которых проводники выведены наружу. [5]
Непрерывная бомбардировка осаждаемой пленки нейтральными атомами и отрицательно заряженными ионами аргона, а также атомами реакционноспособных газов, присутствующих в рабочей камере, и электронами приводит к тому, что пленка захватывает большое количество ( в зависимости от условий осаждения - до нескольких процентов) атомов газа и примесей. Парциальное давление реакционноспособных газов можно значительно уменьшить при проведении геттерного распыления, когда благодаря геттерирующему действию распыляемого вещества очистка аргона производится до того, как он попадает в ту часть системы, где происходит осаждение пленки. Уменьшению содержания в пленках захваченных атомов газа способствует также понижение рабочего давления тлеющего разряда. [6]
Для легирования осаждаемых пленок в ампулу вводят хлориды цинка, кадмия, олова, сурьмы и другие примеси. Так получают полупроводники с заданным типом проводимости и другими нужными физическими свойствами. [7]
 |
Сплавы, получаемые методом осаждения. [8] |
Внедрение в осаждаемую пленку примесей, содержащихся в исходных реактивах, возможно лишь в том случае, если при данных условиях осаждения эти примеси образуют нерастворимые халькогениды и их ионное произведение выше произведения растворимости. Данным требованиям удовлетворяет очень небольшое количество материалов. Это обстоятельство имеет важное следствие: степень чистоты исходных реактивов при низкой концентрации содержащихся в них примесей и при условии, что соответствующее ионное произведение меньше произведения растворимости, не относится к числу параметров, значительно влияющих на степень чистоты осаждаемой пленки. [9]
 |
Зависимость ТКС пленок Mo, Re и W от температуры. [10] |
Это изменение состава осаждаемой пленки может заметно изменять ее электрофизические свойства. [11]
Для повышения чистоты осаждаемых пленок применяют геттерное распыление. Сущность его состоит в том, что в начале процесса подложка закрыта экраном и осаждение производится на этот экран и стенки камеры. При этом пленка осаждаемого материала играет роль газопоглотителя ( геттера), сорбируя активные газы ( О2, СО, N2, CH4, СО2, Н2О), уменьшая их парциальное давление до весьма низких значений. Затем отводится экран и производится осаждение на подложку в чистой атмосфере инертного газа. [12]
 |
Диаграммы состояния для систем различного типа.| Изменение состава при испарении и конденсации бинарных сплавов. [13] |
Рассмотрим изменение состава осаждаемой пленки при испарении бинарных сплавов. Во время испарения пар удаляется от поверхности испарения и конденсируется на холодных частях вакуумной камеры, в том числе и на подложке. [14]
Поскольку известна масса осаждаемой пленки А. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5