Осаждаемая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Скупой платит дважды, тупой платит трижды. Лох платит всю жизнь. Законы Мерфи (еще...)

Осаждаемая пленка

Cтраница 4


При ионном распылении предпочтительным является продольное направление магнитного поля, так как в этом случае не происходит искривления разряда, и сохраняется однородность осаждаемых пленок. Однородность осаждаемых пленок на краях нарушается вследствие эффектов, которые будут рассмотрены нами далее.  [46]

С помощью плазмы тлеющего разряда ( при постоянном токе или высокочастотном возбуждении) пары разлагают на составляющие, в результате взаимодействия которых образуется вещество осаждаемой пленки. Аналогичным образом при взаимодействии SiH4 с парами Н2О образуется пленка Si. При разложении паров тетраэтилортосиликата формируется пленка SiO. Метод плазменного осаждения удобен для получения полимерных пленок сложного состава.  [47]

Подложки из анодированного алюминия должны иметь атомарно-гладкую поверхность, высокое электрическое сопротивление изолирующей пленки ( 1012 Ом-см), температурный коэффициент линейного расширения близким к ТКЛР осаждаемых пленок, высокую стойкость к термоударам, минимальную пористость и не выделять газ в вакууме. Снижение пористости в оксидной пленке достигается путем гидратации ( кипячение в воде), промьшкой в этиловом спирте с последующим кипячением, термообработкой в вакууме.  [48]

49 Физические свойства рабочих жидкостей диффузионных насосов. [49]

В экспериментах высокого вакуума проблема обратного натекания паров из диффузионного масляного насоса является очень серьезной, поскольку натекание вносит дополнительные примеси и, следовательно, ухудшает свойства осаждаемых пленок. Кроме того, аккумулированный до осаждения пленки слой масла на поверхности подложки часто является причиной неудовлетворительной адгезии пленок. Поэтому были предприняты значительные усилия по изучению и устранению источников обратного потока паров.  [50]

Напыление титана производят примерно через 10 сек после его расплавления, так как титан - геттер и в начале его испарения идет интенсивное газовыделение, что загрязняет осаждаемую пленку молекулами газов.  [51]

В этих процессах покрытие и заполнение рельефа контролируется физическим распылением, а не используемыми химическими реагентами, которые выбираются только из условия обеспечения минимального уровня загрязнения ( примеси) осаждаемой пленки.  [52]

В процессах LP LT CVD TiN ( TDMAT-He / NH3 - N2) и LP LT CVD TiN ( TDEAT-He / NH3 - N2) добавка аммиака уменьшает удельное сопротивление осаждаемых пленок TiN, но быстрые газофазные реакции между металлоорганическими соединениями титана и аммиаком ухудшают степень конформности покрытия рельефа и приводят к генерации частиц.  [53]

54 Характеристика полупроводниковых материалов. [54]

Основными требованиями к подложкам являются: значительная механическая прочность при малых толщинах; высокое удельное электрическое сопротивление и малая диэлектрическая проницаемость; термический коэффициент линейного расширения ( ТКЛР), близкий к ТКЛР осаждаемых пленок; физическая и химическая стойкость, инертность К осаждаемым веществам при нагревании до нескольких сот градусов; отсутствие газовы.  [55]

Процессы LP LT CVD TIN ( TDMAT-He) и LP LT CVD TIN ( TDEAT-He) протекают при низких температурах 250 - 350 С, обладают высокой степенью конформности покрытия рельефа, но в осаждаемых пленках нитрида титана состоят из аморфной фазы TiNxCyHz низкой плотности, содержат слишком много углерода 10 - 15 ат.  [56]

Процесс осаждения обычно проходит при следующих значениях операционных параметров: Т 170 - 220 С, р 0 5 - 5 0 торр и расходе реагента меди 0 5 - 1 0мг / мин, а осаждаемые пленки меди имеют удельное сопротивление меньше 2 мкОм - см, низкие растягивающие механические напряжения и низкое содержание примесей.  [57]

Отношение глубины канавки к ее ширине, глубины отверстия к его диаметру и высоты ступеньки к ее ширине называется аспектным отношением ( aspect ratio - AR) и служит важной характеристикой рельефа с точки зрения его покрытия или планаризации осаждаемыми пленками. С операции ХОГФ могут выходить структуры трех видов.  [58]

59 Зависимости параметров процесса ALD пленки алюминия из газовой системы ТМА / Н2 plasma при температуре 250 С и давлении 1 торр. а - циклограмма подачи в реактор реагентов и его продувки аргоном. б - зависимость цикловой скорости осаждения пленки Vd от длительности цикла подачи ТМА в реактор при времени воздействия водородной плазмы 10с и 15-секундных циклах продувки реактора аргоном. в - зависимость цикловой скорости осаждения пленки алюминия от длительности цикла воздействия водородной плазмой при 5-секундном цикле подачи ТМА и 15-секундных циклах продувки реактора аргоном. г - зависимость толщины осаждаемой пленки алюминия dA от количества циклов осаждения cd при циклах подачи реагентов ТМА - 5 с, водородной плазмы 10 с и циклов продувки реактора аргоном по 15 с. [59]

Благодаря тому что самоостанавливающиеся реакции осаждения в процессах ALD управляются адсорбционной способностью поверхности подложки по отношению к хемосорбирующему реагенту, небольшие вариации ( отклонения) операционных параметров таких как потоки реагентов, давление и температура, не оказывают влияния на технологические характеристики осаждаемых пленок. Поэтому процессам ALD присущи исключительно высокие значения равномерности осаждения пленок по толщине и конформности покрытия топологического рельефа.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5