Осаждаемая пленка
Cтраница 2
Посторонние включения в осаждаемой пленке могут иметь неорганическое и - органическое происхождение. [16]
Концентрация примесей в осаждаемых пленках зависит от скорости подачи реагента, содержащего примесь, энергии и интенсивности ионной бомбардировки подложки и температуры подложки в процессе осаждения. [17]
С точки зрения чистоты осаждаемых пленок целесообразно снижать давление рабочего газа ( обычно аргона) в камере. Однако при низком давлении газа ( 0 1 - 0 01 Па) тлеющий разряд гаснет и распыление прекращается. Поэтому были разработаны специальные методы для катодного распыления при низких давлениях. В этих методах разряд поддерживается либо термоэлектронной эмиссией, либо высокочастотным возбуждением. Последний способ - высокочастотное возбуждение плазмы - позволяет не только проводить катодное распыление при пониженных давлениях, но и значительно повысить скорости осаждения при обычных давлениях, особенно при низких напряжениях. [19]
Материал испарителя может переноситься в осаждаемую пленку также в виде летучего окисла. Поэтому степень загрязнения пленки зависит от давления и состава остаточных газов в вакуумной камере, от химической активности материала испарителя и летучести его окислов. Важно также, чтобы при рабочей температуре не происходило химической реакции или взаимного растворения испаряемого вещества и испарителя, так как при этом также могут образовываться летучие продукты. [20]
 |
Стадии получения р-п-р-перехода в интегральной схеме при двухступенчатой диффузии. [21] |
В процессе эиитаксиалыюго выращивания в состав осаждаемой пленки вводят легирующие примеси-доноры и акцепторы, для получения необходимого характера и величины проводимости. С помощью эпитаксиалыюго выращивания удается создать различные легированные области внутри пластинки кремния. [22]
Существенное влияние на процесс формирования микроструктуры осаждаемых пленок оказывает температура подложки. При очень низких температурах образуются микрокристаллические, аморфные или пористые слои. При повышении температуры осаждения размер зерен и плотность пленок увеличиваются. Очень высокая температура способствует быстрому росту зерен. [23]
Из приведенных соотношений видно, что состав осаждаемых пленок имеет сложную зависимость от свойств компонента расплава и характера их взаимодействия в расплаве. Поэтому на практике для проектирования ( расчета) процесса испарения сплавов пользуются эмпирическими данными, полученными для конкретных систем и аппарата. Анализировать эти данные с позиций рассмотренной теории можно только для построения определенных закономерностей или моделей испарения используемых сплавов. [24]
 |
Схемы включения термистора. [25] |
Интегрирование сигнала по времени позволяет измерять толщину осаждаемой пленки. [26]
Для образования р - п перехода тип проводимости осаждаемой пленки должен быть противоположан типу проводимости подложки. [27]
Эксперименты показали, что температура подложки влияет на структуру осаждаемой пленки в большей степени, чем все остальные факторы. На холодной подложке пленки имеют мелкокристаллическую структуру, на подогретой - крупнокристаллическую. При прогреве мелкокристаллической структуры она превращается в крупнокристаллическую. [28]
Ионная бомбардировка з процессах ПА ХОГФ всегда способствует уплотнению структуры осаждаемых пленок и развитию в них сжимающих напряжений. [29]
Таким образом, добавка водорода приводит к эффективной очистке поверхности осаждаемых пленок меди от углеродо - и кисло-родосодержащих промежуточных продуктов реакций, что способствует укрупнению зерен и увеличению поверхностной диффузии адсорбируемых атомов меди. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5