Резистивная пленка

Cтраница 1

Резистивные пленки применяют для резисторов, для обкладок конденсаторов. [1]

Резистивные пленки независимо от материала удобно характеризовать величиной сопротивления на квадрат поверхности PQ. Эта величина является объективной характеристикой пленок и зависит от удельного сопротивления материала и толщины. [2]

Резистивная пленка является основным исходным конструктивным элементом пленочных резисторов. Ее наносят на диэлектрическое основание, а концы замыкают на контактные площадки высокой проводимости. [3]

Зависимость поверхностного сопротивления ( а и Т КС ( б металлической пленки от толщины для участков с различной структурой. [4]

Резистивные пленки толщиной менее 0 01 мкм имеют нестабильные характеристики из-за большого количества пор и являются нетехнологичными из-за трудностей в контрольных операциях. [5]

Станатные резистивные пленки состоят из двуокиси олова SnO2, но отличаются от стехиометрического состава избытком олова. [6]

Танталовые резистивные пленки можно распылять, получая при этом поверхностное сопротивление 50 - 600 Ом / квадрат. [7]

Удельное сопротивление пленок хрома в зависимости от температуры подложки и скорости осаждения ( числовые значения на графике равны отношениям удельного сопротивления пленок к удельному сопротивлению массивного материала, - температура подложки, - скорость осаждения. [8]

Резистивные пленки рения находятся в стадии агломерации, в которой добавочное сопротивление появляется вследствие конечного расстояния между частицами пленки. Тугоплавкость рения позволяет использовать его даже при толщинах порядка 4 нм. Пленки получаются чаще всего посредством электронно-лучевого разогрева гранул рения в вакууме 1 - f - Н-6 ЛО-4Па. Осаждение пленок осуществляется при температуре подложки порядка 350 С. Пленки рения нуждаются в защите от воздействия атмосферы, поэтому их обычно покрывают защитным диэлектрическим слоем моноокиси или окиси кремния. [9]

Четырехполюсники с распределенными параметрами. [10]

Сопротивление резистивной пленки регулируют, изменяя ее толщину, а емкость на единицу поверхности - варьируя толщину подложки либо форму и расположение проводящей пленки по отношению к резистивной. [11]

Перекрытие резистивной пленки и проводящего элемента в зоне их контактирования ( рис. 2.7) должно обеспечивать надежный контакт независимо от способов формирования элементов и придания им заданной конфигурации. [12]

Толщина резистивной пленки обычно составляет 100 мк. [13]

Схема резистивного датчика. [14]

Напыление резистивной пленки на контрольную подложку осуществляют одновременно с напылением на рабочую подложку. [15]

Страницы: 1 2 3 4