Резистивная пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если Вас уже третий рабочий день подряд клонит в сон, значит сегодня среда. Законы Мерфи (еще...)

Резистивная пленка

Cтраница 3


В свою очередь высокоомные резистивные пленки подразделяют на два вида - углеродистые, состоящие из углерода, и ста-натные из двуокиси олова с добавками других окислов. Оба вида этих пленок получают пиролизом.  [31]

В месте контактирования резистивной пленки с материалом контактной площадки возникает дополнительное контактное сопротивление, значение которого зависит от свойств используемых материалов и от площади контактирования. Этот контактный резистор оказывается включением последовательно с основным резистором и его сопротивление должно быть учтено при расчете. Значение контактного сопротивления имеет разброс, что приводит к погрешности изготавливаемого резистора.  [32]

33 Прецизионный болометрический мост для измерения весьма малых уровней мощности.| К пояснению равномерности нагрева электромагнитной волной сопротивления в тракториальной болометрической головке. [33]

Коаксиальный болометр образован тонкой резистивной пленкой, являющейся внутренним проводником коаксиальной линии.  [34]

Удовлетворительно в аттенюаторах служат резистивные пленки; они могут принимать вид поглощающей металлической фольги [56], бакелитовых полосок, покрытых графитом, или металлизированных стеклянных пластин. Использование металлов в виде очень тонких пленок с точно выдержанной толщиной и с защитным изолирующим покрытием делает аттенюаторы нечувствительными к атмосферным влияниям, придает им электрическую и механическую стабильность и обеспечивает низкий температурный коэффициент затухания. Стекло используется в качестве основания ( опоры) при нанесении пленки, так как оно имеет высокую температуру плавления, гладкую поверхность, малые диэлектрические потери, химически инертно, кроме того, негигроскопично, не подвержено короблению и изменению формы. Обычно на стекло напыляется пленка из нихрома или хрома До получения нужного значения поверхностного сопротивления, например 50 - 1000 ом на квадрат. Затем наносится защитная пленка из фтористого магния.  [35]

Микрорельеф меньше влияет на резистивные пленки, чем на емкостные элементы микросхемы. Это связано с тем, что поры и другие единичные дефекты составляют, как правило, лишь небольшую часть ширины полоски сопротивления и обычно не вызывают обрывов или чрезмерной концентрации тока в этих местах. Однако грубый микрорельеф обусловливает дополнительный разброс удельного сопротивления пленки при производстве микросхемы.  [36]

Вначале производят выбор материала резистивной пленки.  [37]

Материал, используемый для резистивных пленок, должен обеспечивать возможность получения широкого диапазона номинальных значений сопротивления, обладать низким температурным коэффициентом сопротивления, высокой коррозионной стойкостью и стабильностью параметров во времени.  [38]

В качестве материала для резистивных пленок используют сплав хрома с кремнием, так как нужно получить сравнительно большие сопротивления при значительной толщине пленки.  [39]

После напыления проводящей или резистивной пленки фоторезист смывают и на поверхности остаются необходимые элементы тонкопленочной схемы.  [40]

При выборе линейных размеров резистивных пленок необходимо учитывать, что при очень узких плен-ках даже небольшие отклонения от заданной ширины вызывают значительные изменения величины сопротивления. Точность изготовления резистивных пленок по ширине зависит от техники получения рисунка пленки на подложке. При напылении через трафарет точность по ширине составляет 12 мкм. Применяя фотолитографическое травление, можно увеличить точность по ширине до 5 мкм.  [41]

В зависимости от состава резистивной пленки может сильно меняться ТКС пленочного резистора.  [42]

Так, для получения резистивной пленки с р & 50 ом / О необходимо напылить ее до величины ps - 44 ом / О. После напыления резисторы отжигаются в вакууме при 360 С в течение 30 мин.  [43]

Прямоугольный волновод, перегороженный резистивной пленкой / / Радиотехника н электроника.  [44]

Третий способ используется в керметных резистивных пленках. Однако изменение электрофизических свойств тонких пленок под длительным воздействием воздуха и влаги остается их наиболее слабым местом.  [45]



Страницы:      1    2    3    4