Резистивная пленка

Cтраница 2

Качество резистивных пленок оценивается удельным электрическим сопротивлением Rs на квадрат площади. Значение Rs зависит от удельного сопротивления материала и толщины: пленки и является величиной постоянной для квадратного сопротивления любых размеров. [16]

Несовместимыми оказываются резистивные пленки на основе диоксида олова, с нанесенными на них пленками алюминия для осуществления электрического контакта. При нагревании этой комбинации веществ обнаруживается ее термодинамическая неустойчивость ( AG0): SnC2 начинает восстанавливаться алюминием, образуется изолирующий слой А12О3, который прерывает пленку резистора. Приходится вводить промежуточный слой никеля, который не реагирует при нагреве с SnO2 ( ЛС0) и с алюминием, обеспечивая тем самым надежный контакт. [17]

Подобно материалу резистивной пленки слой диэлектрика, параметры е и d которого определяют емкость конденсатора, с точки зрения технологичности, воспроизводимости и стабильности свойств характеризуется оптимальным отношением г / d для каждого материала и способа его нанесения. [18]

Для получения резистивных пленок с поверхностным удельным сопротивлением 1 кОм / Q и более используют керметы, являющиеся частным случаем микрокомпозиций. В их состав входят благородный или тугоплавкий металл и диэлектрик. Высокая надежность таких резисторов обеспечивается особенностями структуры сплава, представляющего собой отдельные гранулы металла, находящиеся в аморфной массе диэлектрика. Проводимость в такой структуре осуществляется при высокой концентрации металла за счет контакта металлических гранул, а при большом содержании диэлектрика - за счет смешанного механизма проводимости, включающую металлическую проводимость, туннели-рование электронов через тонкие диэлектрические барьеры и термоэмиссию. [19]

Для изготовления резистивных пленок используют сплав хрома с кремнием, чтобы получить значительное по величине сопротивление при довольно большой толщине пленки. [20]

Величину сопротивления резистивной пленки проверяют по специальному контрольному образцу. Когда сопротивление достигает требуемой величины, испаритель закрывают крышкой, чтобы прекратить осаждение. [21]

Схема генератора. а - обычное исполнение, б - микросхемное исполнение. [22]

Материал для резистивных пленок выбирают в зависимости от требуемой величины сопротивления. Их выполняют из теллура или высокоомного сплава типа нихрома. Линейные размеры определяются удельным сопротивлением пленки, ее формой и толщиной. [23]

Удельное сопротивление резистивных пленок обычно не превышает 100 - 300 Ом / кз. Этот диапазон может быть расширен до 30 - f - - М500 Ом / кв, - но стоимость резисторов при этом возрастает в два раза. Номиналы тогда получаются в пределах 100 - 100 000 Ом. Такой диапазон охватывает все значения современных транзисторных схем. [24]

Для нанесения резистивной пленки могут быть использованы различные способы: термическое испарение резистивного материала в вакууме ( из резистивного испарителя или с помощью электронного луча), катодное распыление, анодирование осажденных на подложку металлических пленок и химическое осаждение при химической реакции в газовой фазе. [25]

При осаждении резистивной пленки на контроль ный образец его сопротивление постепенно уменьшается, и в тот момент, когда RK R6, мост уравновешивается. Выходной сигнал У / 771 обесточит обмотку реле, контакты которого разомкнутся и отключат питание обмотки привода заслонки. Пружины возвратят заслонку в исходное состояние, и поток испаряемого материала будет перекрыт. [26]

В реальных СВЧ-устройетвах резистивные пленки, как правило, наносятся на диэлектрические подложки. Рассмотрим волновод с диэлектрической пластиной ( рис. 3.10 е), поверхности которой x - d имеют рези-стивное покрытие. [27]

Поскольку волновод содержит резистивные пленки, продольное р и поперечные к л волновые числа - комплексные. [28]

Как правило, резистивные пленки нлносятся при температуре подложки порядка нескольких сотен градусов, поэтому резисторы часто располагаются в первом слое пленочной схемы. [29]

Также несовместимыми оказываются резистивные пленки, изготовляемые на основе диоксида олова, с нанесенными на них пленками алюминия для осуществления электрического контакта. При нагревании этой комбинации веществ обнаруживается ее термодинамическая неустойчивость ( AG0): SnO2 начинает восстанавливаться алюминием, образуется изолирующий слой А12О3, который прерывает пленку резистора. Приходится вводить промежуточный слой никеля, который не реагирует при нагреве с SnO2 ( ДОХ)) и с алюминием, обеспечивая тем самым надежный контакт. [30]

Страницы: 1 2 3 4