Диэлектрическая пленка

Cтраница 2

Пористость диэлектрических пленок в большинстве случаев обусловливает низкое рабочее напряжение и брак конденсаторов по короткому замыканию. Для уменьшения пористости используют двухслойные диэлектрики, в которых в результате малой вероятности совпадения дефектных мест уменьшается брак по коротким замыканиям и повышается напряжение пробоя конденсаторов. [16]

Толщина диэлектрических пленок ограничена сверху и снизу и для большинства материалов лежит в пределах от 0 1 до 2 мкм. [17]

Распределение по энергиям истинно-вторичных электронов у металлов ( сплошные кривые и максвелловское распределение ( пунктирная кривая. [18]

Для диэлектрических пленок кривая распределения вторичных электронов по энергиям также отлична от таковой для металлов. [19]

Пористость диэлектрических пленок является их органическим недостатком, обусловленным особенностью процесса напыления - абсорбцией остаточного газа. [20]

Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от угла падения первичных электронов а ( за 100 % принят коэффициент вторичной эмиссии при перпендикулярном падении первичных электронов.| Зависимость коэффициента вторичной эмиссии а от энергии первичных электронов 3i для полупроводников ( а, диэлектриков ( о и сложных катодов ( в.| Зависимость f от энергии положительных ионов.| Значения ч при - 10 в. см-мм рт. ст. [21]

Для полупроводниковых и диэлектрических пленок i обычно несколько больше, чем для металлов. [22]

Получение очень тонких беспористых диэлектрических пленок оказывается перспективным для изготовления конденсаторов, особенно многослойных. [23]

Установка для выращивания кристаллов по методу Багдасарова. [24]

Как осаждают диэлектрические пленки из парогазовой смеси. [25]

Электрическая прочность диэлектрической пленки в значительной степени зависит от процесса конденсации верхней обкладки. Золото и серебро вызывают замыкание обкладок из-за интенсивной диффузии атомов вдоль границ зерен диэлектрической пленки спустя некоторое время после осаждения. Поэтому применяют алюминий, который имеет малую диффузионную подвижность благодаря окислительным процессам на поверхности. [26]

Основным параметром диэлектрической пленки, используемой как оптический волновод, являются потери ( или затухание) сигнала в дБ / см. Потери обусловлены главным образом поверхностным и, в меньшей мере, объемным рассеиванием света. Прохождение каждого зигзага связано с отражением от верхней и нижней поверхностей пленки. [27]

Испарители оптически плотного типа. [28]

При осаждении диэлектрических пленок важными требованиями являются большие емкости испарителя и высокие скорости испарения. Этот испаритель загружается кусочками SiO вокруг танталового цилиндра, который нагревается за счет пропускания через него тока. Этот цилиндр перфорирован и действует как вытяжная труба, через которую пары SiO выходят наружу. Крышка в форме кольца предотвращает выбрасывание частиц окиси кремния. Описываемая конструкция испарителя хорошо продумана: он имеет минимальные потери мощности, позволяет получать высокие скорости испарения вследствие большой внутренней поверхности, компактен, вместителен, хорошо экранирован и несложен в эксплуатации. В результате этот испаритель находит наиболее широкое применение в исследовательских лабораториях, поскольку обработка тан - Таловой пластины толщиной 0 025 - 0 13 мм ( резка, гнутье, сварка) легко выполнима; существует большое разнообразие конструкций сублимационных испарителей диэлектриков для целей использования их в оптике. [29]

Максимальная толщина диэлектрических пленок ограничивается результирующим внутренним напряжением и определяется величиной порядка 15 000 А. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5