Диэлектрическая пленка

Cтраница 1

Диэлектрические пленки должны удовлетворять ряду требований: быть одинаковыми по толщине и иметь однородные структуру и состав как в каждом элементе микросхемы, так и на всех подложках, обрабатываемых на данном этапе технологического процесса. Параметры пленок должны быть надежно контролируемыми и воспроизводимыми, а методы получения пленок должны обеспечивать возможность максимально полной автоматизации, быть экономичными и безопасными. [1]

Диэлектрические пленки, используемые в МДП структурах, должны иметь еще более высокие значения параметров качества. [2]

Диэлектрические пленки особенно чувствительны к отдельным дефектам, имеющим место на совершенной поверхности. Причина заключается в неоднородности электрического поля в таких точках, которая может вызвать пробой диэлектрика. [3]

Диэлектрическая пленка, нанесенная прямо на поверхность интегральной схемы, может полностью закрывать активные области. Это дает возможность использовать микросхему в бескорпусном виде, либо в дешевом негерметичном корпусе. Комбинация коррозионно-стойкой системы металлизации и пассивации поверхности нитридом кремния делает такие схемы практически нечувствительными к окружающим условиям. Билэс и другие [17] предложили подобный вариант - с защитой из SiO2, полученной высокочастотным катодным распылением, и с контактными площадками из тугоплавкого металла на поверхности диэлектрика. [4]

Диэлектрическая пленка должна иметь следующие свойства: стабильность физических и электрических параметров в диапазоне рабочих температур изготовляемого конденсатора; высокую электрическую прочность и диэлектрическую проницаемость; малый угол диэлектрических потерь; равномерность толщины, однородность структуры и отсутствие пор в осажденной пленке. [5]

Диэлектрические пленки используют в интегральных схемах в качестве изоляционных слоев ( пленочные конденсаторы, МДП-транзисторы, многослойный электрический монтаж и др.) и защитных покрытий. При формировании диэлектрических слоев применяют моноокиси кремния ( SiO), германия ( GeO), трехсернистую сурьму ( 80283), окиси титана ( ТЮ2), тантала ( TasOs), алюминия ( АЬОз), калькогенидные стекла, кварц, углеводные полимеры ( стирол, бутадиен) и др. Чаще всего диэлектриком пленочных конденсаторов служит моноокись кремния. [6]

Диэлектрические пленки находят широкое применение в электронике. Они используются для пассивации поверхности и стабилизации параметров полупроводниковых приборов, в качестве маскирующих покрытий в процессах легирования полупроводниковых материалов, а также в качество диэлектрических слоев при создании пленочных конденсаторов, изолирующих слоев при создании многослойных структур. Окислы в виде сплошных равномерных пленок могут быть осаждены из паровой фазы в результате разложения паров таких МОС, как алкоголяты, карбокенлаты, феноляты и ацетил ацстона-ты металлов. [7]

Диэлектрическая пленка должна быть хорошим пассивирующим слоем для резисторов. [8]

Диэлектрические пленки применяют для изготовления конденсаторов, межслойной изоляции и общей защиты схемы от внешних воздействий. Выбор материала для диэлектрических пленок определяется условиями их применения и производства. [9]

Диэлектрические пленки применяются в интегральных микросхемах в качестве изоляционных слоев и защитных покрытий. При формировании этих пленок используются моноокиси кремния и германия, а также трехсернистая сурьма. [10]

Защитные диэлектрические пленки имеют различные свойства. Покрытие лаком ВЛ-931 при толщине лаковой пленки 0 02 мм не вызывает заметного роста затухания после климатических и механических воздействий. Например, для волновода 23x10, выполненного из АОО, затухание не превышает 0 2 дб / м, то же относится и к лаку КПЭЦ. [11]

Пленочные индуктивные катушки. [12]

Изолирующие диэлектрические пленки получают окислением внешних слоеЕ) металлических пленок или нанесением покрытий из диэлектрических материалов. [13]

Эта диэлектрическая пленка хорошо выполняет также роль пассивирующего слоя, надежно защищающего все структуры микросхемы от воздействия агрессивных сред. [14]

Получение диэлектрических пленок для тонкопленочных конденсаторных структур на основе метода термического испарения встречает принципиальные трудности, связанные с тремя побочными явлениями: диссоциация окислов при испарении, взаимодействие с материалом испарителя и фоновой атмосферой, поляризационный захват примесей. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5