Диэлектрическая пленка
Cтраница 4
 |
Реактор для химического осаждения диэлектрических пленок из парогазовой смеси. [46] |
Рассмотрим методы осаждения диэлектрических пленок из парогазовой смеси: термический при атмосферном и пониженном давлении и плазмохимический. [47]
 |
Зависимость скорости роста пленки от температуры подложки при постоянной скорости испарения Г. [48] |
При реактивном испарении диэлектрических пленок, свойства которых зависят от кристаллической структуры, необходимо поддерживать повышенную температуру подложки, даже если атомы металла при столкновениях не теряют своей кинетической энергии. В этих случаях фактором, который определяет скорость роста пленки, является реакция на поверхности или процесс упорядочивания атомов. Этот процесс является термически активированным в отличие от механизма Риттера для Si2O3 где неактивированная хемосорбция определяет степень внедрения кислорода. Крикрриан [222] наблюдал осаждение пленок, контролируемое поверхностной реакцией. [49]
О методе получения диэлектрических пленок на алюминии, Жури, прикл. [50]
Обычно для получения диэлектрических пленок используются реакции трех типов: пиролиз, гидролиз и окисление. [51]
 |
Схемы конфигураций верхних и нижних электродов в тонкопленочных конденсаторах. [52] |
Наиболее важными свойствами диэлектрических пленок являются: диэлектрическая постоянная, электрическая прочность, диэлектрические потери, температурный коэффициент емкости ( ТКЕ), нелинейность емкости, сопротивление изоляции, гладкость поверхности и стабильность всех этих величин. [53]
 |
Функциональная схема контроля методом. [54] |
Для измерения характеристик диэлектрических пленок используют метод емкостного датчика. Он основан на непосредственном измерении относительного изменения электрической емкости планарного конденсатора ( рис. 2.23), предварительно сформированного на контрольной подложке. [55]
 |
Емкостной датчик. [56] |
При малых толщинах диэлектрических пленок ( в пределах тысячных долей миллиметра) изменение емкости ДС от толщины диэлектрика практически имеет линейный характер и характеризует чувствительность прибора. [57]
 |
Функциональная схема контроля методом. [58] |
Для измерения характеристик диэлектрических пленок используют метод емкостного датчика. Он основан на непосредственном измерении относительного изменения электрической емкости планарного конденсатора ( рис. 2.23), предварительно сформированного на контрольной подложке. [59]
Отсутствие микроотверстий в диэлектрической пленке обеспечивается двукратной печатью и вжиганием. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5