Диэлектрическая пленка
Cтраница 3
Для изготовления диэлектрических пленок применяют следующие основные методы: термовакуумное напыление, реактивное ионно-плазменное распыление, распыление в высокочастотном разряде, термическое оксидирование, анодирование осаждаемых на подложку металлических пленок, химическое осаждение из паровой фазы, получение пленок из растворов. [31]
Почему у диэлектрической пленки, используемой в качестве пассивирующей, структура должна быть аморфной. [32]
В качестве диэлектрических пленок для МДП-струк-тур исследуют окислы металлов А1203, ТЮ2, Та205 и другие, обладающие высокой стабильностью свойств и позволяющие создавать МДП-приборы с малым пороговым напряжением, что повышает быстродействие и уменьшает потребляемую мощность. [33]
 |
Элементы приспособления для сеткографической печати. [34] |
Для получения диэлектрической пленки без микроотверстий рекомендуется двухкратная печать с промежуточной сушкой. В результате толщина диэлектрического слоя в отожженном состоянии может достигать 40 мкм. [35]
В качестве диэлектрических пленок для МДП-струк-тур исследуют окислы металлов А1203, ТЮ2, Та205 и другие, обладающие высокой стабильностью свойств и позволяющие создавать МДП-приборы с малым пороговым напряжением, что повышает быстродействие и уменьшает потребляемую мощность. [36]
 |
Элементы приспособления для сеткографической печати. [37] |
Для получения диэлектрической пленки без микроотверстий рекомендуется двухкратная печать с промежуточной сушкой. В результате толщина диэлектрического слоя в отожженном состоянии может достигать 40 мкм. [38]
Интересным применением защитных диэлектрических пленок является их использование для осуществления монтажа с помощью припойных выводов. [39]
Для большинства мелкокристаллических и аморфных диэлектрических пленок tg б зависит от частоты. [40]
ЧТаким образом, диэлектрическая пленка на подложке представляет типичный фазовый объект. [41]
Имеются возможности получать диэлектрические пленки методом вакуумного высокочастотного распыления на установке диодного типа при горизонтально расположенной мишени. [43]
Полученные различными методами диэлектрические пленки имеют, как правило, аморфную структуру. Пленки могут содержать следующие дефекты: кислородные вакансии, ионы кислорода и другие анионы в междоузлиях, ионы металлов в узлах решетки и междоузлиях, поры, микроканалы и микротрещины. При термообработке в пленке появляются кристаллические образования - кристаллиты и возможна полная кристаллизация пленки. При этом в пленке возникают внутренние напряжения, которые значительно изменяют электрические характеристики пленок. Причиной возникновения внутренних напряжений является наличие температурных градиентов в пленке и в системе пленка - подложка и изменение плотности пленок при термообработке. [44]
При катодном распылении диэлектрических пленок обычно используют ионы инертных газов. Мишень при этом нейтрализуют интенсивным электронным лучом, поскольку в противном случае на поверхности кварца быстро накапливается положительный заряд, препятствующий дальнейшей бомбардировке поверхности ионами. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5