Тонкая диэлектрическая пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Жизнь, конечно, не удалась, а в остальном все нормально. Законы Мерфи (еще...)

Тонкая диэлектрическая пленка

Cтраница 2


16 Методы склеивания дерева нагревом диэлектрика. [16]

Если электроды нагревающей системы расположены с разных сторон от тонкой диэлектрической пленки, то электрическое поле, а отсюда и скорость нагрева ограничены напряжением пробоя неизбежного в таких случаях воздушного зазора. Для получения максимального электрического поля в диэлектрической пленке при заданной общей падающей и запасенной мощностях расстояние между электродами для уменьшения воздушного промежутка должно быть сведено к минимуму, однако такая система с малым полным сопротивлением неудобна для передачи мощности.  [17]

Примерно такие же условия можно установить между полями с обеих сторон тонкой диэлектрической пленки.  [18]

Полученные результаты подтверждают возможность применения атом-но-силовой микроскопии и фрактального анализа к исследованию тонких диэлектрических пленок на мезомасштабном уровне.  [19]

20 Структуры МДП транзисторов с собственным ( а и индуцированным ( б каналами. [20]

У полевых транзисторов с изолированным затвором последний представляет собой металлический слой, изолированный от полупроводника тонкой диэлектрической пленкой. Наличие диэлектрика снимает ограничение на полярность смещения: она может быть как положительной, так и отрицательной, причем в обоих случаях ток затвора отсутствует. Структура таких транзисторов ( металл - диэлектрик - полупроводник), как уже отмечалось, лежит в основе их названия: МДП транзисторы.  [21]

22 Структуры МДП-транзисторов с собственным ( а и индуцированным ( б каналами. [22]

У полевых транзисторов с изолированным затвором последний представляет собой металлический слой, изолированный от полупроводника тонкой диэлектрической пленкой. Наличие диэлектрика снимает ограничение на полярность смещения: она может быть как положительной, так и отрицательной, причем в обоих случаях ток затвора отсутствует. Структура таких транзисторов ( металл - диэлектрик - полупроводник) лежит в основе широко распространенного их названия МДП-транзисторы.  [23]

Электролитический конденсатор - конденсатор, состоящий из разделенных слоем электролита металлических обкладок, на которых образуются очень тонкие диэлектрические пленки, вследствие чего между пластинами и электролитом возникает большая емкость.  [24]

Электролитический конденсатор - конденсатор, состоящий из разделенных слоем электролита металлических обкладок, на которых образуются очень тонкие диэлектрические пленки, вследствие чего между пластинами и электролитом возникает большая емкость. Положительные пластины покрываются тонкой пленкой окиси алюминия, которая служит диэлектриком, а отрицательные пластины, не покрытые пленкой, служат лишь для контакта с электролитом. Последний выполняет роль второй рабочей обкладки конденсатора. Ленты свертываются в плотный, круглый рулон, помещаются в алюминиевый ( иногда картонный) корпус.  [25]

26 К анализу распространения волны нагрузки по толщине диэлектрического слоя.| Схема регистрации сигнала в системе проводник - диэлектрик - проводник при ударном нагруже-нии ( Со. к - емкость охранного кольца. [26]

Начальный период сжатия диэлектрика в течение времени прохождения волны по толщине диэлектрика, несущественный при использовании тонкой диэлектрической пленки, является существенным при регистрации электрического сигнала в системе проводник - диэлектрик - проводник с диэлектрическим слоем конечной толщины. Анализ этих эффектов представляет интерес в связи с проверкой модели генерации сигнала в диэлектрических датчиках при прохождении волны. В связи с этим рассмотрим связь сигнала на электродах плоского конденсатора с диэлектрическим слоем конечной толщины с параметрами волны нагрузки в течение периода ее распространения по диэлектрическому слою.  [27]

Для получения численной информации о развитии рельефа наносимых слоев был проведен фрактальный анализ АСМ изображений поверхностей тонких диэлектрических пленок, а также полупроводниковой подложки. Перед описанием полученных результатов следует сделать ряд замечаний, которые были учтены при проведении данного анализа.  [28]

29 Температурная зависимость тока, проходящего через диод со структурой Аи - Si3N4 - Si при напряженности электрического поля 5 3 - 106 В / см. /. - ток, обусловленный эмиссией Пула-Френкеля, / 2 - туннельный ток, / з - омический ток. [29]

Наличие сквозных пор и лову-шечных уровней, а также неоднородность состава оказывают сильное воздействие на процесс переноса электронов в тонких диэлектрических пленках. Несмотря на активные исследования в данной области [254, 255], вопрос о преобладающем механизме переноса электронов в этих пленках до сих пор остается нерешенным.  [30]



Страницы:      1    2    3    4