Тонкая диэлектрическая пленка

Cтраница 4

Энергетические диаграммы структуры металл - диэлектрик - металл ( МДМ с несимметричными контактами. [46]

При использовании тонких пленок возникают качественно новые физические явления, которые не проявляются в толстых образцах и структурах. Тонкие пленки из полупроводниковых материалов ( кремния, германия, арсенида галлия и др.) обладают физическими свойствами, аналогичными свойствам тонких диэлектрических пленок. [47]

Зависимость коэффициентов распыления кварца ( в молекулах на нон от энергии ионов аргона. [48]

Иоргенсон и Венер [60] методом ленгмюровского зонда измеряли пороговые энергии распыления диэлектриков. Характеристики зонда весьма чувствительны к осаждению на его поверхность диэлектрических пленок, так как последние изменяют работу выхода электронов и количество приходящих на зонд электронов. На поверхность зонда высокочастотным распылением наносится тонкая диэлектрическая пленка. Такая тонкая пленка имеет достаточно высокую электропроводность с тем, чтобы ее можно было удалить, прикладывая к зонду постоянное напряжение смещения. Для различных напряжений смещения требуется разное время для удаления диэлектрических пленок одинаковой толщины. Процесс снятия диэлектрической пленки контролируется по зондовым характеристикам. Таким образом, этот метод является весьма чувствительным и может быть использован для получения данных по коэффициентам распыления на постоянном токе. На рис. 7 приведены результаты подобных измерений для SiOz, распыляемой ионами аргона. [49]

В ближнем ультрафиолете коэффициент отражения серебра невысок, и поэтому там применяются только алюминиевые покрытия. Такие отражатели были получены в виде системы тонких диэлектрических пленок, нанесенных на стеклянную подложку. [50]

На основе принципов тонкопленочной технологии и квантовой микроэлектроники также изготовляют дискретные элементы, информация в которых сохраняется в виде незатухающих токов сверхпроводимости при температурах, близких к абсолютному нулю. При изменении внешнего магнитного поля такие устройства ( криотроны) могут переходить из сверхпроводящего в обычное состояние, что позволяет наряду с памятью осуществлять любые логические операции. Основным преимуществом криотронов является очень высокая надежность. Для повышения быстродействия криотронов используют эффект управления током, протекающим через тонкую диэлектрическую пленку, размещенную между двумя сверхпроводниками, путем изменения внешнего магнитного поля без нарушения состояния сверхпроводимости. [51]

Схема включения транзистора с каналом р-тшга.| Структура МОП-транзистора. [52]

Основой первой из них является пластинка ( подложка) Я монокристаллического кремния n - типа. Области истока И и стока С представляют собой участки кремния, в которых методом диффузии созданы два сильно легированных слоя р-типа. Между стоком и подложкой, истоком и подложкой образуются два р - n - перехода. На этом участке расположен специально созданный ( или встроенный) токопроводящий канал, который представляет собой слаболегированную полоску кремния р-типа. Затвором 3 служит металлический слой, изолированный от полупроводника тонкой диэлектрической пленкой толщиной примерно 0 1 мкм. Диэлектрической пленкой обычно является выращенный при высокой температуре слой двуокиси кремния. [53]

Страницы: 1 2 3 4