Тонкая диэлектрическая пленка
Cтраница 3
В статье А.В. Панина и А.Р. Шугурова Фрактальный анализ поверхностей тонких пленою) показана эффективность использования сканирующей атомно-силовой микроскопии для фрактального анализа рельефа поверхности тонких диэлектрических пленок. При напылении слоев SiO2 на полупроводниковую подложку ( GaAs) образуются квазипериодические дефектные мезоструктуры, проявляющиеся в форме гофра. [31]
При изготовлении тонкопленочных структур на основе гетеро-слоев типа металл - диэлектрик - металл ( МДМ) основная технологическая трудность состоит в устранении дефектов в тонкой диэлектрической пленке, разделяющей нижний и верхний металлические слои. [32]
Электролитический конденсатор - конденсатор ( см.), состоящий из металлических обкладок, разделенных слоем электролита ( см.), на которых при пропускании тока образуются очень тонкие диэлектрические пленки, вследствие чего между пластинами и электролитом возникает большая емкость. [33]
Значительный разброс значений диэлектрической проницаемости диэлектриков объясняется как специфическими свойствами тонких пленок, физические свойства которых отличаются от свойств монолитных материалов, так и сложностью оценки толщины тонких диэлектрических пленок, структура - которых весьма неоднородна. [34]
Делитель ( разветвитель) пучка ( ДП) на два направления [20] выполнен на основе 90 -ного четырехплечего ( крестообразного) разветвления лучеводов, в диагональной плоскости которого устанавливается делящий элемент - тонкая диэлектрическая пленка. В созданной конструкции пленка закреплена в сменной кассете, помещаемой в корпус ДП. [35]
К высокоэнергетическим следует отнести спектры УФ отражения, рентгенографии, а также спектры электронографии на просвет. Они являются главными при анализе структуры тонких диэлектрических пленок, обусловленной ближним и частично дальним порядком. Координационное число вычисляется по площади под максимумом: К. [36]
Из-за ограниченного объема данной главы не представляется возможным рассмотреть все тонкопленочные диэлектрики, полученные различными способами, однако описание различных методов детально анализируется в других главах книги. Ниже вкратце описываются различные методы получения тонких диэлектрических пленок, приводятся их основные преимущества и недостатки в случае идеальной диэлектрической пленки. [37]
 |
Прохождение тока через тонкую диэлектрическую пленку Д, заключенную между двумя одинаковыми металлическими контактами М. [38] |
Такой механизм прохождения свободных зарядов через тонкую диэлектрическую пленку называют надбарьерной инжекцией, или надбарьерной эмиссией. [39]
Материалом основания может служить вольфрам, тантал, молибден, ковар, керамика. При использовании металлических оснований последние покрываются тонкой диэлектрической пленкой. Затем на поверхность прибора, его боковые стороны и соседние области основания наносится пленка эпоксидной смолы, с помощью которой осуществляется герметизация и крепление прибора к основанию. Используемый материал характеризуется очень малой усадкой при формовке и последующей обработке. Следовательно, давление на прибор при герметизации минимально и нет необходимости создавать защитные покрытия перед формовкой. Материал характеризуется также хорошей адгезией к материалу проволочных выводов во время формовки. [40]
Если диэлектрик массивный, то весь его остальной объем действует по-прежнему как изолятор, и поэтому в системе металл-диэлектрик-металл ток ничтожно мал. Если же между двумя металлическими электродами поместить тонкую диэлектрическую пленку ( порядка 1 - 10 мкм), то эмитируемые из металла электроны заполнят всю толщину пленки и напряжение, приложенное к такой системе, создаст ток через диэлектрик. Появляется возможность создавать управляемые эмиссионные токи, аналогичные токам в вакууме. При этом тонкие пленки из полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий, арсенид галлия и др., по своим свойствам подобны диэлектрикам. [41]
В качестве примеров можно назвать лазеры с распределенной обратной связью, в частности с распределенной обратной связью на брэгговском отражении, частотные фильтры, устройства ввода - вывода пучков и направленные ответвители. Общим для всех таких систем является распространение волны по тонкой диэлектрической пленке, толщина которой изменяется периодически. [43]
 |
Схематическое изображение туннельного эффекта для случаев. [44] |
Если две металлические поверхности расположены на расстоянии менее 50 А одна от другой, из вышеизложенного следует, что электроны будут проходить из электрода в электрод посредством туннельного эффекта. Столь малое расстояние между электродами достигается на практике при помощи тонкой диэлектрической пленки, чаще всего получаемой посредством термического или анодного оксидирования поверхности одного из электродов. Именно эта система и будет теперь рассмотрена. [45]
Страницы: 1 2 3 4