Тонкая диэлектрическая пленка

Cтраница 1

Тонкая диэлектрическая пленка на диэлектрической подложке с меньшим показателем преломления представляет собой диэлектрический волновод оптического диапазона, предназначенный для соединения активных элементов. [1]

Шероховатость поверхности тонких диэлектрических пленок оказывает существенное влияние на их физические свойства, ограничивая эксплуатационные характеристики, срок службы и надежность многослойных структур, используемых в электронной технике. Для получения высококачественных тонкопленочных материалов очень важен контроль над состоянием поверхностей наносимых слоев. [2]

Развитию резонансных разрядов способствуют тонкие диэлектрические пленки на проводящих поверхностях, образующиеся, в частности, при наличии паров масла в резонаторах. Поэтому целесообразно применять бгзмасляные высоковакуумные насосы. В ускорителе И-100, как уже отмечалось, резонаторы откачиваются посредством сорбционно-ионных титановых насосов. Предотвращению резонансных разрядов способствует такжз применение чистых сортов бескислородной меди в конструкции резонаторов и трубок дрейфа. [3]

В табл. 3 приведены свойства тонких диэлектрических пленок, получаемых различными способами. Практическая величина С ( мкФ - см-2 дается в дополнение к диэлектрической проницаемости. Указанные значения взяты из различных работ. Широкие исследования диэлектрических пленок продолжаются, поэтому данные таблицы не могут дать полную информацию о пленках с лучшими свойствами. Однако эти данные могут служить определенным руководящим материалом. Обычно используются алюминиевые электроды, полученные напылением, которые дают локализованный пробой. В том случае, когда диэлектрическая проницаемость превышает 100, можно предполагать, что пленки имеют кристаллическую структуру. [4]

Установка УВМ-71П-5 предназначена для напыления тонких диэлектрических пленок с помощью резистивного испарителя. Производительность установки 60 подложек / цикл, предельный вакуум - Япред 6 6 - 10 5 Па достигается за 90 мин. Установка может работать с управлением от ЭВМ и может быть включена в линию автоматического процесса напыления пленок. [5]

В данной работе экспериментально исследовались поверхности тонких диэлектрических пленок, нанесенных на поверхность полупроводниковой подложки. Методом атомно-силовой микроскопии исследовались слои BN, SiCh, SixNyOz, полученные плазмохимическим методом, а также их двойные композиции. [6]

Рассмотренные механизмы прохождения тока характерны для тонких диэлектрических пленок. В случае толстых пленок на прохождение тока начинают влиять процессы, протекающие в объеме пленки. Диэлектрик характеризуется малой концентрацией носителей заряда, поэтому электропроводность диэлектрической пленки может сильно изменяться при ннжекции в пленку носителей заряда. Как правило, уровень ннжекции превышает равновесную концентрацию носителей в диэлектрике, поэтому прохождение тока через диэлектрические пленки связано с инжектированными носителями заряда. [7]

На границе двух сверхпроводников, разделенных тонкой диэлектрической пленкой ( например, окисной) наблюдается интересное явление. [8]

В реальных приборах на поверхность полупроводника наносятся тонкие диэлектрические пленки и производится специальная термическая обработка с целью улучшения и стабилизации параметров приборов, а также защиты поверхности. Например, в кремниевых и некоторых арсенид-галлиевых планар-ных приборах и интегральных схемах поверхность покрыта слоем оксида ( SiO2) толщиной в десятые доли микрона. При этом возможно снижение плотности ловушек до 1010 см-2 в кремнии и 1012 - 1013см - 3 в арсениде галлия. Поверхностный заряд, обусловленный ловушками, непостоянен, так как число заряженных ловушек изменяется в зависимости от напряженности электрического поля, потенциала и концентрации носителей у поверхности. [9]

В связи с широким применением в электронике тонких диэлектрических пленок, в которых велика напряженность электрического поля, а также с повышением рабочих температур электронных и электротехнических устройств вопрос об электропроводности диэлектриков и связанных с ней явлениях старения ( деградации) и электрического пробоя является весьма актуальным. То же самое относится и к оптическому пробою - лазерному разрушению прозрачных диэлектриков, определяющему пределы допустимой лучевой плотности мощности в лазерных устройствах. [10]

Сульфиды AsjSj и Sb2S3 используют для образования тонких диэлектрических пленок при изготовлении пленочных конденсаторов в микросхемах. Хорошие диэлектрические свойства в пленках имеет стибнит Sb: малую проводимость ( 4 - Ю12 ом - см), значительную диэлектрическую проницаемость ( & 18 - 20), большую светочувствительность и др. Поэтому его в настоящее время наиболее широко применяют как материал для создания фотопроводящих тонких ( 2 - 3 мкм) слоев мишеней передающих телевизионных трубок ( видиконов), в которых используется внутренний фотоэффект. Как материалы для изготовления мишеней видиконов интересны некоторые халькогенидные стекла, ( гл. [11]

Сульфиды As2S3 и Sb2S3 используют для образования тонких диэлектрических пленок при изготовлении пленочных конденсаторов в микросхемах. Хорошие диэлектрические свойства в пленках имеет стибнит Sb2S3: большое сопротивление ( 4 1010 Ом м), значительную диэлектрическую проницаемость ( е18 - 20), большую светочувствительность и др. Поэтому его в настоящее время наиболее широко применяют как материал для создания фотопроводящих тонких ( 2 - 3 мкм) слоев мишеней передающих телевизионных трубок ( видиконов), в которых используется внутренний фотоэффект. [12]

Эффекты, связанные с протеканием эмиссионных токов в тонких диэлектрических пленках, не ох: ватываются ни физикой полупроводников, н и физикой диэлектриков. [13]

Энергетическая диаграмма удвоен ПО сравнению С ( 48. Так Как. [14]

Пула - Френкеля используется при анализах прохождения тока через тонкие диэлектрические пленки. [15]

Страницы: 1 2 3 4