Полупроводниковая пленка

Cтраница 1

Пресс-форма с полупроводниковым обогревом.| Схема пресс-формы для литьевого прессования на прессах с двумя рабочими плунжерами. [1]

Полупроводниковая пленка, нанесенная на боковой поверхности металлических колец, имеет два серебряных пояска, к которым при-иаяны токоподводящие эластичные провода. Между полупроводниковой пленкой и кольцом имеется прокладка из неорганической эмали. В состав полупроводниковой пленки входят хлористое олово и кристаллический фтористый аммоний. [2]

Полупроводниковые пленки чрезвычайно чувствительны к загрязнениям при нанесении, так как эти примеси и будут в итоге определять проводимость пленки. Поэтому в данном случае наилучшим методом испарения будет бестигельный, с помощью электронной бомбардировки. [3]

Полупроводниковые пленки на стекле обладают обычно высокой моханич. [4]

Схема полупроводникового. [5]

Полупроводниковые пленки с таким по сути аномально большим фотонапряжением особенно перспективны в так называемой оптронной технике, достоинства которой - малая чувствительность к электрическим помехам. Оптронные системы могут работать при очень слабых сигналах, что важно в сверхдальней космической связи и миниатюрных кибернетических машинах. [6]

Полупроводниковые пленки на стекле обладают обычно высокой механич. [7]

Полупроводниковые пленки па стекле обладают обычно высокой мехапич. [8]

Оксидные полупроводниковые пленки получают осаждением на подложку из коллоидных растворов. Этот метод включает в себя подготовку раствора, осаждение на подложку, сушку и отжиг. [9]

Полупроводниковую пленку и нанесенные на нее электроды покрывают защитной пленкой из кремнеорганической смолы К-44, которая обладает термостойкостью при температуре 220 - 250 ( в длительной эксплуатации), высоким электрическим сопротивлением ( пробивное напряжение не менее 700 в на 0 5 мм толщины), хорошим сцеплением с полупроводниковыми пленками и достаточной механической прочностью. [10]

Используя полупроводниковые пленки, можно сделать каждый оптрон достаточно малым в виде элемента матрицы, представляющей интегральную схему с распределенными параметрами. [11]

К полупроводниковой пленке припаивают электропровода, которые служат для подключения прибора к электрической сети. [12]

К полупроводниковой пленке припаивают электропровода, которые служат для подключения прибора к электрической сети. [13]

Энергетические диаграммы структуры металл - диэлектрик - металл ( МДМ с несимметричными контактами. [14]

В тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках протекают физические процессы, связанные с переносом носителей заряда. Процесс переноса ( иначе называемый механизмом токопро-хождения) оказывает существенное влияние на свойства пленочных элементов и может быть исследован с помощью вольт-амперной характеристики. Рассмотрим более подробно механизмы токопро-хождения, имеющие место в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках. [15]

Страницы: 1 2 3 4