Полупроводниковая пленка

Cтраница 3

На подложку вначале наносится полупроводниковая пленка сульфида кадмия CdS ( или селенида кадмия CdSe, или арсенида галлия GaAs) - и выполняется необходимая термическая обработка. [31]

Известно очень много составов полупроводниковых пленок и способов их нанесения на поверхность стекла. Такие электропроводящие стекла характеризуются большим разнообразием электрических и светотехнических свойств. [32]

Микроснимок протравленной Si-пленки, полученной испарением на S1 ( lll - nosepxHocrn, имеющей дефекты упаковки. [33]

Самые типичные дефекты эпитакснальпых полупроводниковых пленок показаны на рис. 33, где ваш-я Лт еегольного изображена структура поверхности протравлен - дефекта упаковки. [34]

Эпитаксиальным процессом называется получение монокристаллических полупроводниковых пленок на монокристаллической основе, когда растущая пленка ориентирована в том же кристаллографическом направлении, что и подложка. [35]

Целью работы является получение полупроводниковой пленки сульфида свинца и последующая проверка ее фотопроводящих свойств. [36]

Пленочный полевой триод. [37]

На изоляционную подложку осаждают полупроводниковую пленку толщиной не более 1 мк. Сверху наносят две металлические полоски, условно называемые катодом ( истоком) и анодом ( стоком), на расстоянии от 5 до 50мк друг от друга. Катод и анод изготовляются из металлов, которые дают омический контакт с полупроводником. [38]

Заряды, накапливающиеся на полупроводниковых пленках, нестабильны и могут блуждать по поверхности пленки. [39]

Следует также отметить, что полупроводниковые пленки могут образоваться не только в ионном источнике, но и в анализирующей трубке. Заряды, скапливающиеся на пленках в анализаторе, могут сильно влиять на разрешающую способность и чувствительность прибора вследствие дефокусировки ионного пучка или нарушения эквипотенциальное пространства дрейфа. Дефокусировка пучка происходит в результате взаимодействия блуждающих зарядов на пленках и зарядов ионного пучка. [40]

В последние годы развивается техника полупроводниковых пленок, которые могут быть применены не только в качестве нагревателей и термоэлектродов, но и термометров сопротивления. В настоящее время такие материалы еще нельзя рекомендовать как надежные для создания серийных расходомеров, но по мере совершенствования технологии полупроводниковых пленок они должны привлечь внимание при создании тепловых расходомеров. [41]

Другим важным достижением стала разработка высокоэффективных тонких поликристаллических полупроводниковых пленок, которые смогут заменить используемые сейчас дорогие монокристаллы. [42]

Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. [43]

Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. Имеет значение состав стекла. [44]

Тигель Розе. [ IMAGE ] Печь для нагревания в. [45]

Страницы: 1 2 3 4