Cтраница 4
Изделие, которое предполагают покрыть полупроводниковой пленкой, нагревают в электропечи до 450 - 500 С. [46]
В условиях большинства химических лабораторий нанесение полупроводниковой пленки легче всего делать путем обработки наружной поверхности изделия ( реже - внутренней поверхности) растворами хлоридов олова. [47]
Изготовление этих схем основано на нанесении тонких металлических, диэлектрических и полупроводниковых пленок в соответствующей последовательности на изоляционную подложку для создания активных и пассивных элементов схемы. Основным технологическим способом изготовления таких схем является способ испарения материалов в вакууме. Метод вакуумного испарения дает возможность получать сложные многослойные структуры в одном технологическом процессе. Преимуществом тонкопленочной технологии является возможность ее полной автоматизации. К недостаткам следует отнести нестабильность пленочных активных элементов схемы. [48]
Эти спаи с одной стороны образованы полупроводниковыми пленками, а с другой - металлическими контактными полосками. [49]
В условиях большей части химических лабораторий нанесение полупроводниковой пленки легче всего делать путем обработки наружной поверхности изделия ( реже - внутренней поверхности) растворами хлоридов олова. [50]
Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на n - германий пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [51]
Электроосаждение может оказаться перспективным методом при получении эпитаксиальных полупроводниковых пленок, используемых для создания полупроводниковых приборов. Электроосаждением индия на л-гер-маний пользуются при изготовлении так называемых поверхностно-барьерных транзисторов и в других целях. [52]
Повышение отражения видимого света стекол при нанесении полупроводниковых пленок двуокиси олова ( или других окислов) на поверхность оптических деталей или других изделий из стекла объясняется тем, что показатель преломления двуокиси олова и других полупроводниковых окисных пленок больше, чем у обычных стекол. Таким образом, пониженная прозрачность стеклянных изделий с электропроводящими пленками объясняется не только поглощением в толще пленки, но и потерями света вследствие его отражения. [53]