Полупроводниковая пленка

Cтраница 2

Поскольку такие полупроводниковые пленки могут быть выращены и легированы при температурах, при которых практически отсутствует движение атомов, и так как содержание легирующих примесей в первой фазе может быть быстро изменено, легко создать в такой полупроводниковой пленке. [16]

Технология получения полупроводниковых пленок для изготовления чувствительных элементов болометров в общих чертах состоит в следующем. Смесь окислов металлов смешивается с органической связкой и соответствующим растворителем до степени плотности сливок. Полученная суспензия размазывается по полированной стеклянной поверхности и просушивается. Образовавшуюся после просушки пленку снимают со стекла и разрезают на образцы требуемых размеров и формы ( с учетом последующей усадки при отжиге), после чего отжигают при температуре спекания около 1100 - 1200 С на гладкой керамической поверхности. При температурах порядка 800 С начинается интенсивный рост кристаллов, усиливающийся с повышением температуры до 900 - 1000 С. К 1100 - 1200 пространства между кристаллами закрываются, образуя замкнутые поры, и укрупнение кристаллов становится особенно отчетливым. [17]

Для нанесения полупроводниковой пленки на поверхность детали применяется специальная печь ( фиг. В стенках цилиндра имеется продольный паз, через который в печь вводятся прикрепленные к стержням диски, с зажатой между ними деталью. Стержни укреплены в подшипниках. [18]

Для подключения полупроводниковых пленок к электрической сети применяется специальная паста, которую следует наносить в виде двух полос шириной по 3 мм по краям полупроводниковой пленки, подсушивать на воздухе, а затем подвергать обжигу в печи при температуре 450 в течение 1 5 - 2 час. После этого к полоскам припаивают многожильный гибкий провод. [19]

Для получения полупроводниковых пленок методом напыления в вакууме испаряют сульфид кадмия. Удовлетворяет ли реактив техническим условиям. [20]

При осаждении полупроводниковых пленок в вакууме приходится иметь дело именно с поликристаллическими пленками, так как диэлектрическая подложка имеет аморфную или мелкокристаллическую структуру, в связи с чем отсутствует ориентирующее действие подложки при конденсации слоя. Размер отдельных кристаллитов, как известно, зависит от природы испаряемого вещества, температуры подложки, скорости конденсации слоя и толщины слоя. [21]

Для получения металлических и полупроводниковых пленок, помимо реакции восстановления галогенидов металлов и полупроводников в токе водорода или другого восстановителя, при высоких температурах используется пиролиз металлоорганических соединений, а также гидридов металлов и полупроводников. Так, например, путем пиролиза хроморганических соединений получают пленки хрома. [22]

Результаты определения MoVI ц WVI в LiNbO3. [23]

При анализе полупроводниковых пленок типа AnBVI, например CdSe, применен метод фазового химического анализа, основанный на последовательной обработке образца 0 5 М уксусной кислотой ( извлечение микрофаз CdO и CdSeO3) и 0 1 М раствором сульфита натрия ( извлечение микрофазы элементного селена) с последующим растворением основы конц. [24]

Для получения полупроводниковых пленок высокой чистоты для физических исследований, включая in sity, нам кажется целесообразным развивать технику распыления в высоком вакууме ( ниже 10 - 5 мм рт. ст.), которая обеспечивала бы и достаточно высокие скорости напыления. Предлагается подходящий альтернативный способ использования ионных пучков из внешнего источника. [25]

При облучении тонких диэлектрических и полупроводниковых пленок зондом с энергией, достаточной для сквозного прохождения электронов, сопротивление пленок может измениться. Такое явление называется возбужденной проводимостью. За счет ионизации объекта его проводимость возрастает на несколько порядков. [26]

В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [27]

Вопрос о влиянии полупроводниковой пленки на адсорбционные свойства и каталитическую активность металла теоретически рассмотрен в работе [290], где отмечается, что варьирование толщины L пленки может дать возможность управления адсорбционной способностью, каталитической активностью и селективностью образца. [28]

Стабильность распределения интенсивности в масс-спектре нормального бутана. [29]

Радикальной мерой борьбы против полупроводниковых пленок может быть только полная механическая или химическая очистка частей, находящихся под электронной бомбардировкой. [30]

Страницы: 1 2 3 4