Cтраница 2
Как указывалось ранее, небольшое несоответствие является важным, но не единственным условием эпитаксии. При эпитаксиальном росте кристаллическая плоскость растущего слоя параллельна плоскости подложки. Если поверхность подложки имеет грани, то наращивание будет происходить параллельно им. Во многих случаях наблюдаемая ориентация не соответствует наибольшему геометрическому соответствию параметров решетки на поверхности раздела пленка-подложка. Это является основным при рассмотрении соответствия параметров решетки пленки и подложки. Для осуществления эпитаксиального наращивания необходим четкий контроль как параметров осаждения, так и параметров подложки. Параметры осаждения определяются особенностями используемой технологии, а свойства подложки остаются неизменными. В следующем разделе будут рассмотрены оптимальные для процесса эпитаксиального роста параметры подложки и осаждения. [16]
Использовался сканирующий электронный микроскоп, который может создавать тонкий электронный луч диаметром менее 0 1 мкм. Силоксаны растворяли в изоамилацетате и растворы наносили на кремниевые пластины, а затем растворитель испаряли при комнатной температуре. Экспонированные пленки обладают высокой адгезией к кремниевой подложке, вероятно, за счет образования кислородными атомами силоксанов прочных связей на границе раздела пленка-подложка. [17]
В общем случае система пленка-подложка находится в изогнутом состоянии. Продолжая аналогию с пружиной, можно представить себе, что пленка ведет себя как сжатая, а подложка как растянутые пружины, закрепленные параллельно друг другу между двумя стенками. В свободном состоянии пленка в этой системе стремится распрямиться, а подложка наоборот сжаться, чтобы высвободить запасенную упругую энергию. Такие моменты сил приводят к значительному изгибу пластин с нанесенной пленкой. Если, например, пленку каким-либо способом снять с подложки ( в нашей модели это означает разрезать одну из пружин), то, как мы видим, исчезнет изгибающий момент, действовавший ранее на систему пленка-подложка, и ставшая свободной от усилий оставшаяся часть выпрямится. [18]
Капля 1 % - ного раствора коллодия наносится на поверхность ртути. После полного испарения растворителя уровень ртути в чашке понижают до тех пор, пока коллодиевая пленка не пристанет плотно к плоскому кольцу из органического стекла, установленному на дне чашки. Излишек пленки, выступающий за края кольца, обрезают скальпелем, после чего через специальный ввод внутри кольца ( фиг. После этого воду можно наливать на ртуть сверху, так что коллодиевая пленка оказывается плавающей на поверхности воды. Затем под пленку подводят стеклянную пластинку с уложенными на ней сетками или диафрагмами, уровень воды понижают, и пластинка с сетками оказывается покрытой коллодиевой пленкой. Для сушки пластинку помещают на металлическую плиту, нагретую до 80 С, где вода быстро испаряется, и пленка остается хорошо укрепленной на сетках. После этой операции пленка-подложка готова для исследований. [19]