Кристаллографическая плоскость

Cтраница 1

Кристаллографическая плоскость, в которой молекулы складываются, называемая обычно плоскостью складывания [224], по-видимому, параллельна растущей грани кристалла. В пределах этой плоскости соседние сегменты одной и той же молекулы связаны в вершине или основании ламели складкой, а вдоль цепи - ван-дер-ваальсовыми силами. [1]

Кристаллическая решетка и параметры элементарной ячейки.| Кристаллографическая плоскость.| Семейство кристаллографических плоскостей. [2]

Кристаллографическая плоскость ( рис. 6.2) содержит по крайней мере три узла решетки, для которых р, q к г - целые числа. [3]

Кристаллографические плоскости ( 002) Ш2А13, ( НО) NiAl, ( 111) Ni3Al располагаются преимущественно параллельно поверхности образца и друг другу. Эта текстура выявляется на рентгенограммах, снятых с поверхности образца, при последовательном сошлифовывании и стравливании слоев. [4]

Кристаллографические плоскости ( 002) Ni2Al3, ( 110) NiAl, ( 111) Ni3Al располагаются преимущественно параллельно поверхности образца и друг другу. Эта текстура выявляется на рентгенограммах, снятых с поверхности образца, при последовательном сошлифовывании и стравливании слоев. [5]

На любой кристаллографической плоскости, из которых состоит пространственная решетка, атомы натрия и хлора располагаются поочередно. Атомы одного вида находятся в вершинах куба и в центрах каждой грани, противоположно поляризованные атомы также расположены по вершинам куба и в центрах каждой его грани. Только второй куб смещен от первого на кратчайшее расстояние между атомами натрия и хлора. В целом хлорид, натрия образует гранецентриро-ванную кубическую решетку. В этой решетке каждый атом натрия окружен ближайшими шестью атомами хлора, и наоборот. [6]

Направление кристаллографических плоскостей кубической системы можно определить относительно осей координат OX, OY и OZ с помощью отрезков на осях координат, отсекаемых данной плоскостью. [7]

Направления кристаллографических плоскостей относительно выбранных осей координат определяются особыми индексами. [8]

Пространственное положение кристаллографических плоскостей ( плоскостей, проходящих через определенные группы атомов кристаллической решетки), а также кристаллографических направлений характеризуется кристаллографическими индексами. [9]

Точки пересечения воображаемой кристаллографической плоскости с этими координатными осями выражают целыми числами, приняв за единицу длины основных векторов. [10]

Такое расположение кристаллографических плоскостей сульфида свидетельствует, что плоскости базиса решетки располагаются преимущественно перпендикулярно поверхности молибденовой подложки. [11]

Точность ориентации кристаллографической плоскости пластины должна находиться в пределах 30 - 60, так как от этого зависит воспроизводимость процессов окисления, диффузии, имплантации примесей и др. Наиболее часто используют кристаллы, вырезанные по плоскостям 111 в биполярной и 100 в МДП-технологии. [12]

Различают также плотноупакованные кристаллографические плоскости и решетки. [13]

Размеры атомов и ионов химических элементов. [14]

В скобках даны кристаллографические плоскости, к которым относятся указанные величины. [15]

Страницы: 1 2 3 4