Кристаллографическая плоскость

Cтраница 2

Различают также плотноупакованные кристаллографические плоскости и решетки. [16]

В кристалле меди определенные кристаллографические плоскости являются плоскостями куба, октаэдра и ромбического додекаэдра. Октаэдр получается, если соединить атомы, находящиеся в середине каждой грани куба, а грани ромбического додекаэдра пересекают наискось 12 ребер куба. [17]

Основные кристаллографические направления ( а и плоскости ( б, в, г. [18]

Для определения индекса кристаллографической плоскости следует вначале найти координаты ближайших точек ее пересечения с осями координат, проведенными из точки отсчета о. Затем обратные величины найденных координат следует записать в обычной последовательности в круглых скобках. [19]

Типы решеток. [20]

При рассмотрении направления кристаллографических плоскостей пользуются следующей системой обозначения. За основу принимается система трех осей, - параллельных ребрам элементарной ячейки решетки кристалла. [21]

Сдвиг происходит в определенной кристаллографической плоскости, а потому мы можем ожидать, что он связан не со скалывающим напряжением в этой плоскости, а с разрывающим усилием. На си-мом деле предел текучести зависит от ориентации натяжения. [22]

Схема механизма пластической деформации. а - скольжением. б - двойникованием. [23]

Смещения совершаются по кристаллографическим плоскостям ( а - а), наиболее плотно упакованным атомами и называемым плоскостями скольжения. [24]

Размещение атомов в кристаллографической плоскости.| Схематическое изображение пространственной кристаллической решетки. [25]

Такая конфигурация называется кристаллографической плоскостью. [26]

Монокристаллы молибдена с кристаллографическими плоскостями НО и 100 на рабочей поверхности эмиттера обладают наибольшей работой выхода электронов в вакууме по сравнению с другими гранями монокристалла. По этой причине применение монокристаллов молибдена с кристаллографической ориентацией 110 на поверхности катода весьма перспективно с точки зрения повышения эффективности работы ТЭП и повышения КПД преобразователя. [27]

Предполагается далее, что соответствующие кристаллографические плоскости кристалла и ядра ориентированы неодинаково, а повернуты относительно друг друга. [28]

Из-за возможности отражения от кристаллографических плоскостей ясно, что только на основании степени почернения на электронных микрофотографиях нельзя судить о толщине препарата. Один из приемов, который применяют для выяснения этого вопроса, состоит в том, что объект поворачивают относительно оси, перпендикулярной к пучку и проходящей через рассматриваемое место. Это позволяет сразу решить, является ли слой кристаллическим или аморфным; в последнем случае такой эффект наблюдаться не будет. [29]

Зависимость а от расположения кристаллографических плоскостей и соответствующую равновесную форму кристалла удобно отобразить на диаграмме Вульфа. В этом типе диаграмм значения а нанесены в зависимости от ориентации. Очевидно, что для жидкости или аморфного материала, такого как стекло, график Вульфа представляет сферу. В то же время для кристалла он не является сферой и отражает симметрию кристалла. Соответствующие равновесные формы кристаллов отображены пунктирными линиями. [30]

Страницы: 1 2 3 4