Кристаллографическая плоскость
Cтраница 4
 |
К определению укова. [46] |
Это скольжение происходит по определенным кристаллографическим плоскостям, которые называются плоскостями скольжения. Обычно такими плоскостями являются плоскости, имеющие наибольшую плотность размещения атомов. Однако здесь важную роль играет температура. Повышение температуры иногда приводит к тому, что процесс скольжения происходит по другим плоскостям. [47]
Эти сдвиги происходят по определенным кристаллографическим плоскостям ( плоскостям скольжения), наиболее густо усеянным атомами в направлениях с наименьшими расстояниями между ними, называемых кристаллографическими направлениями. Практически скольжение происходит одновременно по нескольким параллельным плоскостям скольжения. Число плоскостей возрастает с увеличением усилия деформации. [48]
 |
Модель потенциальной функции. [49] |
Кристаллографические направления, перпендикулярные соответствующим кристаллографическим плоскостям, обозначают теми же индексами, что и данную плоскость, но вместо круглых скобок пишутся квадратные скобки. Соответственно направления, идущие от начала координат в стороны, противоположные положительным направлениям, будут иметь отрицательный знак. Но имеются полупроводники, кристаллизующиеся в других системах. Например, теллур обладает тригональной ячейкой. В отличие от кубической, для тригональной и гексагональной элементарных ячеек принимается система кристаллографических символов, состоящая не из трех, а из четырех индексов Миллера. [50]
 |
Кристаллическая структура алмаза. [51] |
На рис. 2.10 показаны три наиболее важные кристаллографические плоскости и направления для кубической решетки. Положение плоскостей даны в индексах Миллера, которые обратно пропорциональны отрезкам, отсекаемым плоскостью на координатных осях. [52]
В табл. 3 перечислены типы кристаллографических плоскостей и направлений скольжения, каждый из которых есть набор конкретных плоскостей и направлений. При установлении отдельной системы скольжения, представляющей собой совокупность плоскости и направления, следует помнить кристаллографическое условие принадлежности направления данной плоскости. [53]
Такую предпочтительную ориентацию зерен или определенных кристаллографических плоскостей называют текстурой. Текстура электроосажденных металлов зависит от многих факторов и зачастую плохо воспроизводима. Основными факторами, влияющими на образование той или иной текстуры, являются состав электролита, режим электролиза, наличие в электролите органических и неорганических добавок. На образование текстуры также влияют материал и структура металла-основы, толщина осадка, температура электролита, перемешивание, форма тока, наложение магнитного и ультразвукового поля. Эти же факторы определяют не только тип текстуры, но и степень ее совершенства. [54]
Перестройка решетки происходит по тем кристаллографическим плоскостям и направлениям исходной фазы, которые имеют одинаковое строение и близкие параметры с определенными плоскостями новой фазы, т.е. соблюдается принцип структурного и размерного соответствия. [55]
 |
Схема осуществления пластической деформации скольжением.| Схема осуществления пластической дефоря. [56] |
Скольжение в монокристаллах осуществляется по определенным кристаллографическим плоскостям, которые называются плоскостями скольжения. Обычно такими плоскостями являются плоскости с наибольшей плотностью размещения атомов. В этих плоскостях имеются направления, в которых межатомные расстояния имеют минимальную величину. Такие направления называются направлениями скольжения. В совокупности плоскости и направления образуют систему скольжения. [57]
Скольжение в монокристаллах происходит по определенным кристаллографическим плоскостям, которые называются плоскостями скольжения. [58]
Рассмотрим кристалл, рассеченный некоторой кристаллографической плоскостью. [59]
Под влиянием внешних сил в кристаллографических плоскостях монокристалла возникают напряжения. [60]
Страницы: 1 2 3 4