Плотность - компоновка
Cтраница 1
Плотность компоновки в герметизированной схеме составляет величину, почти в 100 раз меньшую. [1]
Уменьшение плотности компоновки сопел приводит, как и в струях инертного газа, к повышению эжекционной способности факела вследствие роста суммарной поверхности границ зоны смешения. [2]
Повышение плотности компоновки или увеличение числа схемных элементов, размещаемых на единице площади кристалла, является одной из основных закономерностей эволюции ИМС. Этого достигают посредством уменьшения геометрических размеров и за счет функциональной интеграции. [3]
Коэффициентом плотности компоновки эквивалентных элементов Пк называется отношение общего числа эквивалентных и дискретных корпусных элементов к габаритному объему, занимаемому изделием. [4]
 |
Пьезоэлектрическая линия задержки. о устройство. б - эквивалент. схема. [5] |
Ограничения на плотность компоновки в пределах одного кристалла и подложки накладывают и паразитные связи. В полупроводниковых интегральных схемах ( пример такой схемы показан на рис. 11.1) - это токи и емкости запертых р - n переходов, изолирующих один компонент от другого. При большой плотности компонентов между - областями, разделенными р-участками ( или наоборот), может появиться транзисторный эффект, который создает нежелательные связи между компонентами. Кроме того, емкости развязывающих р - n переходов на высоких частотах также могут создать паразитную связь. [6]
 |
Подсоединение гибкого печатного роботов И манипулято-шлейфа к соединителю с двумя рядами контак - снижаются требо. [7] |
Дополнительно повысить плотность компоновки можно, объединяя в блоке различные функциональные узлы. Повышение плотности компоновки в этом случае достигается благодаря исключению кабелей, соединителей и усилителей в межузловых связях. [8]
 |
Четырехтранэисторная ( а и шестмтранзисторная ( 6 типовые базовые ячейки БМК на КМОП-транзисторах. [9] |
Для повышения плотности компоновки / о-канальные транзисторы объединяются в группы и размещаются в одном л-кармане, соединенном с источником питания. [10]
Для повышения плотности компоновки элементов на кристалле широко используются различные виды изоштанарной технологии, КИД-технология [1,3] и ее модифицированный вариант ( рис. 2.5) с комбинированной изоляцией полупроводниковых областей и пристеночными эмиттерами. [11]
Для увеличения плотности компоновки электрорадиоэлементов на плате допускается использовать одну и ту же V-образную линию для нескольких узловых точек, что достигается введением разрывов соответствующих печатных проводников, а также нескольких V-образных линий ( печатных проводников) или частей в качестве одной точки с введением перемычек. [12]
 |
Поверхностный перенос зарядов в двухфазной структуре ПЗС-типа ( а - г и фазы управляющих напряжений ( д. [13] |
С целью повышения плотности компоновки применяются различные варианты двухфазных структур ПЗС-типа, в которых однонаправленность перемещения зарядов достигается за счет асимметрии потенциальной ямы. [14]
С целью повышения плотности компоновки БИС на биполярных транзисторах матрица БМК может быть выполнена в виде сплошного массива ячеек, в состав которых входят элементы и перемычки. Горизонтальные трассы проходят в областях расположения групп пассивных элементов ( резисторов), находящихся под защитной оксидной пленкой, вертикальные трассы - во втором ( верхнем) слое над элементами ячеек. Дополнительные вертикальные трассы образуются за счет неиспользованных ячеек. [15]
Страницы: 1 2 3 4