Плотность - компоновка
Cтраница 4
ТЭЗ с 1 / 3 не может быть реализован без существенного снижения плотности компоновки ИС. [46]
В качестве основных независимых факторов, влияющих на величину себестоимости, выбираются: плотность компоновки элементов прибора, эл / мм2; плотность элементов, приходящихся на дефект, эл / деф; общее количество тестов при измерениях параметров прибора. [47]
Проектируются структуры, в которых стремятся увеличить эффективность цепи питания при одновременном увеличении плотности компоновки. Стремление повысить нагрузочную способность инжекционной логики приводит к созданию структур с эмиттером переключательного транзистора, выполненным в виде скрытого я - слоя специальной конфигурации. В подобных структурах п - слой располагают только под коллектором переключательного транзистора, чем достигается рациональное распределение инжектированных в базу неосновных носителей заряда и повышение инверсного коэффициента усиления переключательного транзистора. Увеличение инверсного коэффициента усиления переключательного транзистора достигается также уменьшением толщины и концентрации примесей в базовой области под коллектором. [48]
Применение миниатюрных функциональных схем не только снижает вес и размеры, но и увеличивает плотность компоновки, по которой судят о степени использования заданных объемов; повышает надежность и ремонтоспособность, а также снижает себестоимость аппаратуры. [49]
При выборе конструкторски-технологического метода изготовления печатной платы, который, как правило, определяет плотность компоновки, учитываются возможности различных методов ( см, табл. 2.5, 2.6, 2.8, 2.9), а также стоимость производства и эксплуатации. Стоимость производства Н, имеющая размерность нормо-ч / дм2, зависит ( рис. 2.39) от сложности механической обработки, характеризуемой параметром потв ( число отверстий на кнадратный сантиметр платы), класса плотности платы Кпл ( имеется три класса плотности, см. табл. 2.3), числа слоев платы Мел. При выборе материала основания учитываются требования по стоимости, теплоотводу, прочности, согласованности ТКЛР платы и навесных элементов, возможностям формовки, диэлектрической проницаемости е, потерям ( tg8), электрической прочности, влагостойкости. [51]
Применение для герметизации матричных микросхем безвыводных керамических и пластмассовых носителей кристаллов позволяет существенно повысить плотность компоновки, снизить стоимость аппаратуры, автоматизировать сборочные процессы. Для изготовления носителей кристаллов используют керамику на основе оксида алюминия и оксида бериллия. Носитель кристалла представляет собой обычно квадратное керамическое ( пластмассовое) основание с выемкой для установки кристалла, которая закрывается металлической или керамической ( пластмассовой) крышкой. [52]
Одним из важных параметров волоконной оптики является пропускание на единицу длины, зависящее от плотности компоновки волокон, отношения толщин волокна и оболочки и эффективности просветляющего покрытия. Среднее значение коэффициента пропускания волокон из трехсернистого мышьяка с оболочкой в спектральном интервале 3 2 - 5 5 мк составляет примерно 0 9 на 25 мм длины волокна. [53]
 |
Последовательность изготовления объемно-гнездового модуля. [54] |
В таких модулях наиболее целесообразно применять радиодетали цилиндрической формы с осевыми выводами, что повышает плотность компоновки и упрощает изготовление гнезд. [55]
 |
Температурные изменения коэффициента усиления тока базы Р маломощного интегрального п-р - п транзистора при различных токах коллектора / к ( 1 и сопротивления гашч-резистора Лп ( 2. [56] |
При разработке топологии микросхемы - переводе электрической принципиальной схемы в топологический чертеж элементов-основными критериями являются плотность компоновки элементов с минимальным числом пересечений соединений между ними, а также минимизация тепловых и емкостных связей. При достижении максимальной плотности компоновки интегральных элементов выявляются топологические ограничения, вызванные получением минимальной ширины линии, доступной для вскрытия методом литографии, с учетом диффузии примеси под окисел и автодиффузии скрытого слоя. На рис. 1.12, а показан топологический чертеж п-р - п транзистора, а на рис. 1.12 6-разрез изготовленной структуры интегрального транзистора. [57]
Как видно из этого рисунка, для случая триггера, состоящего из 20 компонентов, достижимая плотность компоновки при допустимом увеличении температуры внутри объема на 20 С составит для случая мощности рассеяния 20 мет 1 1X2022 компонента на 1 см3, а для повышения плотности до 500 компонентов потребуется снижение мощности рассеяния до 1 мет на элемент. [58]
Расчет уровня миниатюризации основан на предварительном вычислении двух коэффициентов: коэффициента применяемости МЭНТ и коэффициента плотности компоновки. [59]
Страницы: 1 2 3 4