Плотность - носитель - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Есть люди, в которых живет Бог. Есть люди, в которых живет дьявол. А есть люди, в которых живут только глисты. (Ф. Раневская) Законы Мерфи (еще...)

Плотность - носитель

Cтраница 1


1 Определение типа полупроводника с помощью термо-э. д с. [1]

Плотность носителей при температуре О К равна нулю, но так как электроны доноров по мере повышения температуры под действием тепла переходят в зону проводимости, их плотность постепенно увеличивается.  [2]

3 Пример наблюдаемого импульса.| Схематическая интерпретация наблюдаемого импульса. [3]

Плотность носителей откладывается вертикально. При t 0 носители возникают очень близко от поверхности.  [4]

5 Схема опыта по обнаружению области с дырочной проводимостью вблизи острия на л-гер-мании. [5]

Во всяком полупроводнике плотность носителей тока вследствие диффузии в холодных местах делается выше, чем в горячих, и в дырочном полупроводнике потенциал холодных мест делается выше, а в электронных ниже, чем в горячих. Поэтому и знаки термо-эдс оказываются различными. Этим методом определения механизма электропроводности часто пользуются.  [6]

Благодаря тому, что плотности носителя и частиц станут более близки, осаждение транспортируемого материала будет затруднено.  [7]

Другими словами, чем меньше плотность носителя, тем больший объем он занимает и тем больше жидкости удерживает в промежутках между частицами. Следовательно, 100 г очень плотного носителя, например хромосорба G, удерживают гораздо меньше жидкости, чем 100 г менее плотного носителя, например хромосорба W. Следовательно, чтобы, используя эти носители, получить насадки с одной и той же концентрацией неподвижной фазы, для хромосорба G нужно брать гораздо более концентрированный раствор неподвижной фазы. Заметим, однако, что насадка 5 % фазы ЭГА на носителе хромосорб G содержит более чем в два раза большее количество неподвижной фазы, чем насадка 5 % ЭГА на носителе хромосорб W. Объемная плотность большинства носителей зависит и от зернения: носитель зернением 100 / 120 меш обычно более плотный, чем носитель зернением 60 / 80 меш, но это отличие, по-видимому, не слишком велико.  [8]

Другими словами, чем меньше плотность носителя, тем больший объем он занимает и тем больше жидкости удерживает в промежутках между частицами. Следовательно, 100 г очень плотного носителя, например хромосорба G, удерживают гораздо меньше жидкости, чем 100 г менее плотного носителя, например хромосорба W. Следовательно, чтобы, используя эти носители, получить насадки с одной и той же концентрацией неподвижной фазы, для хромосорба G нужно брать гораздо более концентрированный раствор неподвижной фазы. Заметим, однако, что насадка 5 % фазы ЭГА на носителе хромосорб G содержит более чем в два раза большее количество неподвижной фазы, чем насадка 5 % ЭГА на носителе хромосорб W. Объемная плотность большинства носителей зависит и от зернения: носитель зернением 100 / 120 меш обычно более плотный, чем носитель зернением 60 / 80 меш, но это отличие, по-видимому, не слишком велико.  [9]

Однако при понижении температуры флуктуации плотности носителей в канале могут вносить существенный вклад в шум ПТ. Черчилль и Лауритцен [6] выполнили измерения шумов в кремниевых ПТ для температур ниже 125 К. Они обнаружили уровни шумов примерно на 23 дБ выше, чем можно было ожидать, имея в виду только тепловой шум канала. Их экспериментальные результаты находятся в хорошем соответствии с гипотезой о флуктуации плотности носителей, если в соответствующих выражениях учитывать зависимость подвижности носителей от величины электрического напряжения.  [10]

В полупроводниках благодаря сильной зависимости плотности носителей электричества от температуры термоэлектрические явления резко усиливаются.  [11]

12 Коэффициент Пельтье для.| Зависимость эмиссионного тока от напряжения. [12]

В полупроводниках благодаря сильной зависимости плотности носителей электричества от температуры термоэлектрические явления резко усиливаются. Это приводит к повышению КПД термоэлектрических генераторов и к возможности создания эффективных холодильников на основе эффекта Пельтье.  [13]

14 Отложение парафина на катализаторе, осажденном на. [14]

Однако плотность катализатора непосредственно зависит от плотности носителя. Для гранулированных катализаторов Со - Th02 - MgO - кизельгур зависимость между плотностями катализатора и кизельгура по ртути при атмосферном давлении имеет линейный характер. Плотность таблетированных катализаторов зависит не только от плотности кизельгура, но и от метода таблетирования.  [15]



Страницы:      1    2    3    4