Плотность - носитель
Cтраница 2
 |
Функция Ферми, описывающая частичную занятость возможных.| В полупроводнике типа п. [16] |
Заштрихованная область в каждом случае описывает численную плотность носителей. [17]
На участке степенной зависимости тока от напряжения плотность носителей у перехода пропорциональна У-1. Вследствие повышенной плотности активаторов люминесценции ( атомов бора) излучательная рекомбинация имеет место в основном вблизи перехода. [18]
На участке степенной зависимости тока от напряжения плотность носителей у перехода пропорциональна J / T. Вследствие повышенной плотности активаторов люминесценции ( атомов бора) излучательная рекомбинация имеет место в основном вблизи перехода. [19]
Скорость рекомбинации на поверхности определяется как отношение плотности носителей, рекомбинирующих на единице поверхности за секунду, к избыточному значению концентрации носителей у поверхности. Для получения величины тока, обусловленного поверхностной рекомбинацией ( изменения заряда в единицу времени), s следует умножить на заряд электрона q, эффективную площадь поверхности Ss, на которой происходит рекомбинация, и на концентрацию носителей. [20]
В начале участка степенной зависимости тока от напряжения плотности носителей у р - п-перехода и пп - контакта примерно одинаковы. В следствие этого максимум излучения приходится на область, прилегающую к р - п-переходу, в которой плотность носителей и концентрации атомов бора выше, чем в центральной области компенсированного слоя. [21]
 |
Зависимость / 77 f, ( / для диодов с WlLp 3. [22] |
В начале участка степенной зависимости тока от напряжения плотности носителей у р - га-перехода и пп - контакта примерно одинаковы. В следствие этого максимум излучения приходится на область, прилегающую к р - га-переходу, в которой плотность носителей и концентрации атомов бора выше, чем в центральной области компенсированного слоя. [23]
На третьем участке, на котором / ехр, плотность носителей у перехода также пропорциональна У. [24]
Модель Линвилла с распределенными параметрами точнее остальных отражает распределение плотности носителей в базе при быстрых изменениях напряжений на переходах транзистора. Модель Линвилла с сосредоточенными параметрами и эквивалентные ей модель Эберса и Молла и зарядная модель отличаются от распределенной модели Линвилла тем, что в них не учитывается инерционность установления распределения плотности носителей в базе. Однако ввиду сложности модель Линвилла с распределенными параметрами на практике применяется редко. [25]
Не исключена возможность, что важную роль в увеличении плотности носителей свободных зарядов играют молекулы инициатора, поскольку они распадаются на радикалы, несущие электрический заряд. [26]
При понижении температуры рост сопротивления поликристаллических графитных образцов обязан уменьшению плотности носителей, а не усилению рассеяния. [27]
Для исследования были использованы нелегированные образцы n - типа с плотностью носителей - 1016 - 1017 см-3, образцы, легированные цинком, с концентрацией дырок - 1018 см-3 и образцы сплава 0 7 InSb - 0 3 InAs, легированные теллуром от 2 7 10 - 5 до 2 0 10 - 3 вес. [28]
После нахождения типа носителя в качестве следующей задачи встает задача определения плотности носителей. Рассмотрим в качестве примера электронный полупроводник. [29]
Любопытно, что оба изложенных механизма дают величину, не зависящую от плотности носителей тока. [30]
Страницы: 1 2 3 4