Cтраница 4
А, в результате чего при обычных температурах в полупроводнике имеется значительная ( по сравнению с диэлектриком) плотность носителей тока. В примесных ( или легированных) полупроводниках дополнительным источником электронов или дырок являются атомы примесей, для которых энергетическая щель по отношению к отдаче электрона в решетку ( донорная примесь) или его захвата из решетки ( акцепторная примесь) оказывается меньше, чем энергетическая щель в основном спектре. [46]
С увеличением предельно допустимого анодного тока прямая ветвь статической вольт-амперной характеристики сдвигается влево ( 3.30), что обусловлено увеличением плотности носителей в базовых слоях тиристорных ключей. [47]
Так как каждой точке характеристики соответствуют определенная концентрация и распределение носителей зарядов внутри четырех полупроводниковых зон, то с каждым коммутационным процессом связано увеличение или уменьшение плотности носителей аарядов. [48]
Когда проводимость обусловлена как отрицательными ( электронами), так и положительными ( дырками) носителями тока, что имеет место в собственных полупроводниках или близких к ним веществах, плотность носителей нельзя определить непосредственно, если не известно отношение подвижностей носителей. [49]
При законах дисперсии (89.6), (89.7) условие kvp C cj означает, что должно быть и А VF В достижимых полях В это условие может фактически выполняться лишь в полуметаллах ( висмут) с малой плотностью носителей тока. [50]
В условиях, когда произведение давления газа р на длину разрядного промежутка / подчиняется неравенству р / 0 26 - 105 Па, распространяющаяся от катода в направлении анода лавина электронов может достигнуть в своей головке А такой плотности носителей электричества ( рис. 2 - 3), что порождаемое ею излучение ( фотоны - дискретные порции лучистой энергии) может привести к возникновению электрона в точке В и дать здесь начало новой лавине. [51]
В своих лекциях о полупроводниках Зейтц рассказывал о природе примесных уровней в S1 и Ge и привел значения энергий ионизации акцепторов группы III и доноров группы V, которые были получены Пирсоном и Бардином из Лаборатории белл телефон [1] из температурной зависимости плотности носителей, определенной на основании измерений сопротивления и холловских измерений. Он также обсуждал сделанный ими вывод о том, что энергии ионизации акцепторов группы III ( 0 048эВ) и доноров группы V ( 0 045 эВ) находятся в разумном согласии с простой моделью эффективной массы для водородоподобных примесей. Именно тогда, во время лекции, мне пришла идея использовать фотоионизацию неионизованных водородоподобных примесных центров в Si и Ge для изготовления ИК приемников. [52]
Прежде чем продолжить рассмотрение, необходимо подчеркнуть, что обсуждаемый здесь случай отличается от всего того, что имеет место во всех лазерах, которые мы до сих пор изучали, по крайней мере в трех следующих отношениях: 1) Величинами, которыми необходимо теперь пользоваться, являются плотность носителей N, а не обычная инверсия населенностей, и скорость инжекции Rp вместо произведения Wp ( Ni-N), определяющего накачку. [53]
Если приложить напряжение к аноду и катоду, из них в центральный п слой инжектируется большое число положительных и отрицательных носителей тока и через текнетрон проходит прямой ток. В пропускном состоянии плотность носителей тока в несколько сотен раз выше, чем в нейтральном положении, и концентрация электронов и дырок приблизительно равна. [54]
Образец полупроводника длиной 30 мм, шириной 5 мм и толщиной 1 мм имеет сопротивление 500 Ом. Определить подвижность Холла и плотность носителей в полупроводнике, считая, что он является ярко выраженным полупроводником р-типа. [55]
Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее стоком, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [56]
Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее с током, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [57]
Таким образом, имеется бегущая волна плотности носителей ( а следовательно, и объемного заряда), частота которой задается формулой Kkva, где k - волновое число. [58]
В подтверждение этой теории предполагалось, что плотность неосковных носителей, возникающих вследствие инъекции эмиттера, была всегда пренебрежимо мала. Современная теория Вебстера показывает, что плотностью неосновных носителей в базовом слое нельзя пренебрегать даже при сравнительно низких величинах эмиттерного тока. В результате проводимость базового слоя возрастает, что, в свою очередь, - понижает эффективность эмиттера и увеличивает скорость объемной рекомбинации в базовой области. Каждое из этих явлений вызывает увеличение сигнала тока в базе и, следовательно, понижение акб. [59]
Как следует из таблицы, на первом участке плотность носителей во всей компенсированной области изменяется линейно с током. Поэтому интенсивность свечения изменяется с напряжением по такому же закону, как и ток. [60]