Плотность - носитель
Cтраница 3
 |
Эквивалентная схема секции полупроводника по Линвиллу.| Упрощенная эквивалентная схема. [31] |
Модель Линвилла позволяет выразить токи во всех цепях эквивалентной схемы в функции от плотности носителей. [32]
Таким О бразом, для образования объемной винтовой волны необходим стационарный поперечный градиент плотности носителей тока. Гурвитц и Макуортер [4] показали, что винтовая волна может возникнуть и без этого градиента, если скорость поверхностной рекомбинации достаточно мала. [33]
Подставляя вместо I ( t) интенсивности 1Г и Id по отдельности, получаем плотность носителей, созданных отраженным и прямым пучками пг и nd соответственно. [35]
 |
Люкс-амперные характеристики. [36] |
Из зависимости интенсивности электролюминесценции от тока и напряжения было установлено, что интенсивность свечения пропорциональна плотности носителей в компенсированной / г-области, прилегающей к р-ге-пере-ходу. [37]
 |
Люкс-амперные характеристики. [38] |
Из зависимости интенсивности электролюминесценции от тока и напряжения было установлено, что интенсивность свечения пропорциональна плотности носителей в компенсированной л-области, прилегающей к р-га-переходу. [39]
Из этого определения следует, что величина перенесенного заряда должна быть пропорциональна: 1) плотности носителей тока Nq, 2) времени релаксации, так как оно характеризует время, в течение которого поле воздействует на электрон до следующего столкновения с решгткой, и 3) величине q / tn, поскольку ускорение электрона в поле прямо пропорционально заряду и обратно пропорционально массе электрона. [40]
Она имеет наибольшую величину у управляющего электрода, а, поскольку коэффициент а есть функция плотности носителей, включение наступит у управляющего электрода, когда сумма коэффициентов ос в этом месте будет равна единице. [41]
В достижимых полях В это условие может фактически выполняться лишь в полуметаллах ( висмут) с малой плотностью носителей тока. [42]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Причиной снижения эффективности при увеличении электронного тока является инжекция электронов в р - область, вследствие чего происходит относительное снижение плотности носителей у переходов. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [43]
Из совместного анализа вольт-амперных и электролюминесцентных характеристик диодов было установлено, что интенсивность желтой полосы электролюминесценции пропорциональна плотности носителей перехода, где концентрация атомов бора, играющих роль активатора люминесценции, максимальна. Согласно предложенной схеме для объяснения механизма излучательных переходов интенсивность свечения пропорциональна плотности дырок. Данная схема кроме мономолекулярных механизмов рекомбинаций позволяет объяснить температурные условия интенсивности электролюминесценции и резкое снижение эффективности при повышении удельного сопротивления материала в районе перехода. Зависимости интенсивности свечения от тока и напряжения на диоде связаны не с изменением механизма излучательной рекомбинации, а с изменением механизма переноса электронного тока. Поэтому для создания индикаторных диодов с высокой эффективностью электролюминесценции необходимо компенсированную n - область делать по возможности более тонкой и не очень высокоомной. [44]
Отсюда следует, что Jth Jr при условии, что иу ( 0) является равновесным значением плотности носителей на контакте кристалл - электрод. Скорость рекомбинации является важным параметром, описывающим вольт-амперную зависимость ( см. разд. Для электролитических электродов получаются весьма различные значения vr, от совсем малых ( - 10 - 2 см - с 1) до величин, приближающихся к vr металлов ( см. разд. [45]
Страницы: 1 2 3 4