Плотность - поверхностное состояние
Cтраница 1
Плотность поверхностных состояний вообще и поверхностных состояний, являющихся рекомбинационными ловушками, в частности зависит от обработки поверхности полупроводника и от свойств внешней среды, с которой он соприкасается. Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [1]
Плотность поверхностных состояний и скорость поверхностной рекомбинации должны оставаться на достаточно низком уровне для правильной работы прибора. [2]
Плотность поверхностных состояний весьма велика ( 1013 см-2) и чувствительна к изменениям окружающей среды. Их плотность соответственно равна 10й и 1013 см-2. Быстрые состояния характеризуются временем захвата носителей тока не более нескольких микросекунд, медленные - от миллисекунд до нескольких часов. Быстрые состояния находятся на границе раздела между объемом полупроводника и окисным слоем, покрывающим его поверхность. Их плотность зависит от характера обработки поверхности, а не от состава окружающей среды. Медленные состояния расположены внутри окисного слоя или на его поверхности и зависят от структуры окисного слоя и состава окружающей среды. [3]
Плотность поверхностных состояний на кремнии обычно бывает несколько выше ( иногда на порядок), чем на германии. [4]
Плотность поверхностных состояний вообще и поверхностных состояний, являющихся рекомбинационными ловушками, в частности, зависит от обработки поверхности полупроводника и от свойств внешней среды, с которой он соприкасается. Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [5]
Изменение плотности поверхностных состояний приводит к заметному изменению обратных токов, коэффициентов передачи и пробивных напряжений полупроводниковых приборов. [6]
 |
Зависимость индуцированной полем проводимости и емкости от смещения на затворе при 297 К для легированных бором ( / и нелегированных ( / / а-51. Н - МОП-структур [ 96. [7] |
Распределение плотности поверхностных состояний определялось из результатов, представленных на рис. 3.4.14, а распределение плотности собственных состояний в запрещенной зоне - из уравнения (3.4.18), Последнее распределение показано на рис. 3.4.15, причем здесь исключено влияние поверхностных состояний. Распределение плотности состояний в запрещенной зоне является, по-существу, U-об-разным и на нем отсутствует скачок. [8]
Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [9]
Однако в действительности на плотность поверхностных состояний оказывает влияние ряд других факторов, характеризующих реальное состояние поверхности и несовершенство технологических операций. [10]
Однако в действительности на плотность поверхностных состояний оказывает влияние ряд других факторов, характеризующих реальное состояние поверхности и несовершенство технологических операций. Важнейший из них связан с различием исходных состояний поверхностных атомов полупроводника, обусловленным тем, что реальную поверхность полупроводника нельзя отождествлять с идеальной кристаллографической плоскостью. Реальная поверхность всегда имеет определенный рельеф как в микроскопическом, так и в макроскопическом масштабе и, следовательно, различные ее участки ограничены разными кристаллографическими плоскостями. [11]
 |
Энергетическая диаграмма для полупроводника с поверхностными состояниями. [12] |
Следовательно, для реальных значений плотности поверхностных состояний ф0 ( iiE0) по существу определяется условиями на поверхности, а не в объеме. [13]
 |
Анизотропия распределения плотности поверхностных уровней на границе раздела Si - SiC2 для лицевой поверхности ( 111. ( 110. ( 1 0 0. Концентрация Н20 - 8Х ХЮ 3 %, влажное окисление при 1000 С. [14] |
На рис. 4.24 представлено энергетическое распределение плотности поверхностных состояний в пределах запрещенной зоны, полученное методом измерения проводимости на переменном токе. Здесь также проявляется аналогичное влияние кристаллической ориентации. Приведенные экспериментальные данные позволяют предположить, что причины образования Qox и Afps взаимосвязаны и обусловлены возникновением кристаллических дефектов, на границе раздела Si - Si02 при окислении. По этому поводу проведено множество исследований, однако окончательные выводы еще не сделаны. [15]
Страницы: 1 2 3 4