Плотность - поверхностное состояние
Cтраница 2
Изменение qps, связанное с изменением плотности поверхностных состояний, может быть обнаружено по изменению работы выхода электронов. [16]
Изменение cps, связанное с изменением плотности поверхностных состояний, может быть обнаружено по изменению работы выхода электронов. [17]
 |
Сдвиг C-Y - кривой МОП-структуры после термополевого воздействия ( кремний гатила. [18] |
Величина АУр в определяет заряд Q ss и плотность поверхностных состояний N ss после термополевого воздействия. Причины термополевой нестабильности системы металл - окисел - полупроводник связаны с дрейфом и перераспределением носителей заряда в окисле. [19]
 |
Быстрые ( / и медленные ( 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [20] |
Таким образом, толщина области объемного заряда зависит от плотности поверхностных состояний, от удельного сопротивления полупроводника или от концентрации примеси и составляет обычно Ю-2-10 мкм. [21]
 |
Быстрые / и мед. [22] |
Таким образом, толщина области объемного заряда зависит от плотности поверхностных состояний, от удельного сопротивления полупроводника или от концентрации примеси и составляет обычно 1 ( Г2 - 10 мкм. [23]
 |
Быстрые / и медленные 2 поверхностные состояния на реальной поверхности полупроводника. [24] |
Таким образом, толщина области объемного заряда зависит от плотности поверхностных состояний, от удельного сопротивления полупроводника или от концентрации примеси и составляет обычно 10 - 2 - 10 МКМ. [25]
 |
Сдвиг C-Y - кривой МОП-структуры после термополевого воздействия ( кремний гатила. [26] |
Величина АУ в определяет заряд Q s i и плотность поверхностных состояний N ss после термополевого воздействия. МОП-структуре и определяет воспроизводимость параметров при эксплуатации. Причины термополевой нестабильности системы металл - окисел - полупроводник связаны с дрейфом и перераспределением носителей заряда в окисле. [27]
 |
Распределение электронов по энергии в диэлектрической пленке толщиной 50 нм для различных напряжен-ностей электрических полей, МВ / / - 11. 2 - 9. 3 - 7. 4 - 5. [28] |
Одновременно с накоплением в пленке SiO2 положительного заряда начинает возрастать плотность поверхностных состояний. Многочисленные исследования данного явления показали, что увеличение плотности поверхностных состояний и генерация положительного заряда тесно взаимосвязаны. Фишетти также предполагается, что ответственным за оба процесса зарядовой деградации являются одни и те же структурные нарушения в пленке двуокиси кремния у границы Si - SiO2, что происходит, в основном, под влиянием электронных процессов, которые стимулируются действием электрического поля, вызывающего инжекцию заряда в диэлектрик. [29]
Большое значение для работы транзисторов с изолированным затвором имеет величина плотности поверхностных состояний у границы раздела между диэлектриком и полупроводником. Поверхностные состояния могут нести на себе заряд, экранирующий объем полупроводника от поля затвора, что может весьма существенно понижать эффективность затвора. Этот эффект может являться одним из важнейших факторов при выборе материалов ( диэлектрика и полупроводника) и технологии получения структуры. [30]
Страницы: 1 2 3 4