Плотность - поверхностное состояние
Cтраница 3
Этот слой зарядов создает потенциальный барьер, высота которого зависит от плотности поверхностных состояний, могущих удерживать электроны. Если привести полупроводник в контакт с поверхностью металла, то при высокой концентрации электронов в поверхностных состояниях высота потенциального барьера не обязательно должна изменяться, так как контактная разность потенциалов может установиться в результате изменения поверхностного, а не объемного заряда полупроводника. Этот случай противоположен рассмотренному в § 1 более обычному случаю, когда плотность поверхностных состояний считалась очень малой. При очень высокой плотности электронов на поверхности высота потенциального барьера у поверхности полупроводника не зависит от работы выхода металла, находящегося в контакте с полупроводником. [31]
Коэффициент 0 тем сильнее зависит от толщины диэлектрического слоя, чем меньше плотность поверхностных состояний. [32]
Как мы увидим ниже, на основании опытов по эффекту поля маловероятно, чтобы плотность поверхностных состояний более чем на один-два порядка превышала 109 см-г. Поэтому вполне могло бы оказаться, что изменение ф8 почти полностью определяет наблюдаемые изменения контактной разности потенциалов. [33]
Одними из важнейших параметров тонких оксидных пленок на кремнии являются поверхностный заряд Q9V, плотность поверхностных состояний Nss ( ss - surface states), а также величина объемного заряда Qv и его плотность NV Последние две величины определяются в основном состоянием самого окисла, его дефектностью и наличием примесей в его объеме. [34]
Для МДП-транзисторов, для приборов с зарядовой связью и для интегральных микросхем на МДП-структурах необходимо использовать кристаллы полупроводника с малой плотностью поверхностных состояний, т.е. поверхностных состояний вблизи границы раздела кристалла полупроводника и диэлектрика. При современной технологии низкую плотность поверхностных состояний удается получить пока только на гетеропереходе между кремнием и диоксидом кремния. [35]
Последнее приведет к обратимым изменениям кривой захвата на быстрые состояния QfS ( Ys) и к появлению на энергетическом спектре дополнительной плотности кажущихся поверхностных состояний Nfs. Однако при таком объяснении необходимо допустить одинаковый характер распределения флуктуации потенциала при перезарядке электронных ловушек и накоплении протонов, что само по себе весьма странно. [36]
На примере пленки, содержащей окисел диспрозия, видно, что лишь при температуре деструкции - 1150 С наблюдается заметное увеличение плотности поверхностных состояний. На величину плотности поверхностных состояний не влияет и увеличение времени деструкции от 1 до 60 мин. Величина относительной диэлектрической проницаемости пленок с содержанием окисла РЗЭ 25 - 49 % составляет 4 5 - 9 9 и не меняется с повышением температуры деструкции от 790 до 940 С. [37]
Следует подчеркнуть, что качественное согласие теоретических и экспериментальных значений Sg для разных ps можно получить лишь в предположении, что как дифференциальная плотность поверхностных состояний, так и поперечные селения захвата электронов этими состояниями возрастают в кремнии n - типа при приближении к потолку валентной зоны. Это обусловлено постепенной сменой глубоких генерационно-актив-ных поверхностных центров более мелкими по мере увеличения концентрации неосновных носителей вблизи поверхности. [38]
Плотность поверхностных состояний вообще и поверхностных состояний, являющихся рекомбинационными ловушками, в частности, зависит от обработки поверхности полупроводника и от свойств внешней среды, с которой он соприкасается. Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [39]
Плотность поверхностных состояний вообще и поверхностных состояний, являющихся рекомбинационными ловушками, в частности зависит от обработки поверхности полупроводника и от свойств внешней среды, с которой он соприкасается. Так как плотность поверхностных состояний обычно велика, то рекомбинация носителей на поверхности идет значительно быстрее ( интенсивнее), чем в объеме полупроводника. [40]
На примере пленки, содержащей окисел диспрозия, видно, что лишь при температуре деструкции - 1150 С наблюдается заметное увеличение плотности поверхностных состояний. На величину плотности поверхностных состояний не влияет и увеличение времени деструкции от 1 до 60 мин. Величина относительной диэлектрической проницаемости пленок с содержанием окисла РЗЭ 25 - 49 % составляет 4 5 - 9 9 и не меняется с повышением температуры деструкции от 790 до 940 С. [41]
При анализе падения напряжения А V на межзеренной границе используют диаметрально противоположные модели. В первой из них плотность поверхностных состояний N b не изменяется при приложении относительно небольших напряжений смешения, а во второй предполагаемое увеличение N b с ростом внешнего напряжения, при котором высота потенциального барьера остается фиксированной вблизи значения, соответствует нулевому смещению, вплоть до невысоких значений напряжений. [43]
Представляется, что последовательное нанесение пленки a - Si и плаз-менно осажденного из газовой фазы подзатворного диэлектрика является наиболее эффективным методом получения a - Si-ТПТ высокого качества. Считается, что это связано с малой плотностью поверхностных состояний на границе раздела a - Si / диэлектрик, что дает возможность использовать более низкие напряжения при работе прибора. Этот эффект более существенен для приборов с S-N - диэлектриком. Что касается второго критерия, то максимальные значения д, равные 0 56 и 1 9 см2 / ( В с), наблюдались в приборах с a - Si, полученных в дуговом разряде соответственно с термически выращенным SiO2 или плазменно осажденным из газовой фазы диэлектриком. [44]
Для эффективной работы ПЗС необходимо ослабить влияние двух факторов, которые приводят к потере заряда при его перемещении вдоль поверхности кристалла: поверхностные состояния на границе полупроводник - диэлектрик и потенциальные барьеры, имеющие место в межэлектродной области полупроводника. Для существенного ослабления первого фактора необходимо, чтобы плотность поверхностных состояний не превышала 10 - 8 - 109 см-2. Для уменьшения потенциальных барьеров расстояния между электродами должны составлять не более 2 мкм. [45]
Страницы: 1 2 3 4