Плотность - поверхностное состояние
Cтраница 4
Одновременно с накоплением в пленке SiO2 положительного заряда начинает возрастать плотность поверхностных состояний. Многочисленные исследования данного явления показали, что увеличение плотности поверхностных состояний и генерация положительного заряда тесно взаимосвязаны. Фишетти также предполагается, что ответственным за оба процесса зарядовой деградации являются одни и те же структурные нарушения в пленке двуокиси кремния у границы Si - SiO2, что происходит, в основном, под влиянием электронных процессов, которые стимулируются действием электрического поля, вызывающего инжекцию заряда в диэлектрик. [46]
Использование (2.2) позволяет получить зависимость поверхностного потенциала от напряжения на структуре без применения интегрирования, необходимого для метода низкочастотных ВФХ. Из зависимости напряжения на структуре от времени может быть также определена дифференциальная плотность поверхностных состояний. [47]
 |
Спектральное распределение эффективного квантового выхода Au - ra - Si-фотодиодов ( приведено к числу падающих фотонов. [48] |
В качестве полупрозрачного барьерного контакта в основном используют золото, которое наносят либо вакуумным напылением, либо химическим осаждением. Пр ( и обработке поверхности используют методы, приводящие к снижению плотности поверхностных состояний. [49]
Рост пленки зависит от ориентации кристалла. На границе раздела оксид кремния - кремний в случае ориентации ( 100) плотность поверхностных состояний получается наименьшей, что желательно при изготовлении полупроводниковых приборов. [50]
В области потенциалов катодного восстановления ионов ферри-цианида происходит перераспределение составляющих Гальвани-потенциала и локализация большей его доли в слое Гельмгольца. Последнее связано с десорбцией кислорода с поверхности окисла в этой области потенциалов и увеличением плотности поверхностных состояний на электроде. [51]
Состояния, расположенные на границе раздела кремний - двуокись кремния, менее чувствительны к воздействию окружающей среды и зависят от качества обработки поверхности подложки и процесса выращивания окисла. Таким образом, любые несовершенства, возникающие при химической обработке поверхности полупроводникового материала, влияют на плотность поверхностных состояний. [52]
В МОП-т ранзисторах с р-каналом воздействие ИИ приводит к смещению порогового напряжения f / зипор в сторону больших отрицательных значений и к изменению крутизны вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Первый эффект связан с образованием положительного пространственного заряда в слое SiO2 а второй - с изменением плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний - диэлектрик и снижением подвижности носителей в канале. Оба эти эффекта не исчезают после снятия ИИ. [53]
С их помощью проводят измерения концентрации легирующих примесей, глубоких уровней и их характеристик, генерационного времени неравновесных носителей заряда, плотности поверхностных состояний и их распределения по энергиям. [54]
Скальский [126, 127] попытался применить пленки РЬТе для тонкопленочных транзисторов. Его результаты близки к данным Пенбейкера [100], правда, нужно учитывать, что Скальский использовал эпитаксиальные пленки на NaCl. Плотность поверхностных состояний была весьма небольшой. [55]
Качество пленок в значительной степени зависит от качества поверхности подложки. Дефекты поверхности подложки могут служить причиной нарушений однородности пленки, образования кристаллических областей, проколов. Примеси способствуют росту плотности поверхностных состояний. [56]
Преобладание таких структур над структурами с каналом га-типа обусловлено простотой управления поверхностными свойствами окисленного кремния в р-канальной технологии. Обычно в практических случаях изменение плотности поверхностных состояний, которое у р-канальных МДП-транзисторов вызывает изменение величины порогового напряжения, оказывается достаточным для перевода - канальных МДП-транзисторов из режима обогащения в режим обеднения. Поэтому МДП-транзисторы с каналом р-типа характеризуются лучшей воспроизводимостью, что и определило их преимущественное использование для реализации МДП-ИМС. [57]
Преобладание таких структур над структурами с каналом n - типа обусловлено простотой управления поверхностными свойствами окисленного кремния в р-канальной технологии. Обычно в практических случаях изменение плотности поверхностных состояний, которое у р-канальных МДП-транзисторов вызывает изменение значения порогового напряжения, оказывается достаточным для перевода н-канального МДП-транзистора из режима обогащения в режим обеднения. Поэтому МДП-транзисторы с каналом р-типа характеризуются лучшей воспроизводимостью, что и определило их преимущественное использование для реализации МДП-ИМС. [58]
Страницы: 1 2 3 4