Плотность - обратный ток
Cтраница 2
Экспериментальные исследования значений а либо т) в лабораторных условиях ( когда нужны короткие интервалы наблюдений) проводятся в форсированных режимах, в частности при более высоких значениях плотности обратного тока и повышенной скорости нарастания прямого тока и обратного напряжения. [16]
 |
Анодно-се-точный узел в высоковольтном ртутном вентиле. [17] |
При равномерном распределении напряжения по промежуткам с d 1 см можно было бы ограничиться, создавая вентиль на обратное напряжение 150 кв с двумя-тремя последовательно включенными промежутками в зависимости от возникающей плотности обратного тока. Но так как добиться требующейся равномерности в распределении напряжения между пргшржуткями практически неудяется, тем более когда в междуэлектродных промежутках имеются остаточные заряды ( этап деионизации), то в анодный узел вентилей, изготовляемых на рабочее напряжение 100 кв ( испытательное напряжение 150 кв), вводится пять промежутков, разделенных, как показано на рис. 7.45, четырьмя вставками. Вставки с неперекрывающими отверстиями присоединены к боковым цилиндрам анодного узла. [18]
Коэффициенты диффузии для неосновных электронов и дырок соответственно равны 100 и 50 см2 / с, диффузионная длина LnLp0 8 см. Определить: а) контактную разность потенциалов срк; б) плотность обратного тока насыщения / о при Т300 К. [19]
 |
Структура титановой выпрямительной пластины.| Типичные вольтамперные характеристики титановой выпрямительной пластины при разных температурах окружающей среды. [20] |
Рабочее обратное напряжение на отдельный выпрямительный элемент находится в пределах 11 - ч - 25 в, пробивное напряжение 35 - т - 50 в. Плотность обратного тока при номинальном напряжении не превышает 40 а / ж2 при комнатной температуре. [21]
Таким образом, при наличии шунтировки не все дырки, поступающие в базу р2, приводят к смещению перехода / з в прямом направлении. Вследствие этого при одной и той же плотности обратного тока коллекторного перехода переход / 3 смещается в прямом направлении при наличии шунтировки несколько слабее, чем при отсутствии шунтировки. [22]
Выпускаемые промышленностью титановые выпрямители работоспособны в интервале окружающих температур от - 60 до 250 С. При максимальной рабочей температуре ( 250 С) пробивное напряжение титановых выпрямительных элементов снижается незначительно, плотность обратного тока увеличивается приблизительно в два раза. Это соответствует ширине слоя объемного заряда около 1 мк. [23]
Шоттки и р-я-переходом, изготовленные из пленок Si, нанесенных на стальные подложки методом химического осаждения из паровой фазы, обладают плохими диодными характеристиками. Диодный коэффициент элементов с р-я-переходом и барьером Шоттки, рассчитанный исходя из прямых вольт-амперных характеристик, равен соответственно 3 9 и 2 8, тогда как для монокристаллических элементов с р-я-переходом значение этого коэффициента составляет 1 8, а для идеальных барьеров Шоттки-1. В тонкопленочных элементах с р-я-пе-реходом плотность обратного тока насыщения на несколько порядков величины выше, чем в монокристаллических элементах, имеющих аналогичный профиль распределения примесей, а в солнечных элементах с барьером Шоттки - существенно больше, чем в элементах с р-я-переходом. Большие обратные токи в тонкопленочных элементах, создаваемых на подложках из стали, связаны с малым размером зерен в пленках Si и наличием механических напряжений в области перехода. В случае использования кремниевых пленок, нанесенных на подложки из графита [20], элементы обладают лучшими выпрямляющими свойствами. Значение диодного коэффициента, найденное из прямых вольт-амперных характеристик данных элементов и равное - 1 9, сравнимо с его значением в монокристаллических элементах, что свидетельствует о слабом влиянии границ зерен в этих пленках на процесс протекания тока. [24]
Поэтому отношение Уген / / диф, как это и подтверждается экспериментом, обычно много меньше единицы. Ранее отмечалось, что диффузионные составляющие обратных токов для германия и кремния могут различаться в 106 раз. С учетом обеих составляющих это различие уменьшится, но все же останется достаточно большим. Сравнение наиболее низких значений плотностей обратных токов, экспериментально полученных в обычных условиях на германиевых и кремниевых р-п переходах, показывает, что они могут различаться в 103 - 10 раз. [25]
Кольцевая часть р-л-перехода формируется диффузией алюминия, центральная часть - диффузией бора. Пробивное напряжение центральной части р-л-перехода оказывается меньше пробивного напряжения кольцевой его части. Пробивное напряжение всего диода не зависит от состояния поверхности; создаются условия для равномерного распределения плотности обратного тока при лавинном пробое. [26]
Для успешного производства высокоэффективных солнечных элементов наряду с применением современных методов изготовления необходимо глубокое понимание процессов, происходящих в элементах. Установив соответствие между характеристиками элементов и основными структурными, электронными и оптическими свойствами полупроводниковых слоев, можно точно определить влияние каждого из них на параметры перехода и наметить пути повышения КПД преобразования солнечной энергии. Для этого требуется детальный анализ свойств материалов, применяемых в различных компонентах конструкции солнечных элементов. Качество перехода оценивают, исходя из вольт-амперной и вольт-фарадной характеристик, а также из спектральной зависимости чувствительности, с помощью которых определяют ряд важных параметров, таких, как плотность обратного тока насыщения, диодный коэффициент, концентрация ионизированных примесей, диффузионный потенциал, высота потенциального барьера, толщина обедненной области и напряженность электрического поля в переходе. [27]
Весьма наглядным и простым методом наблюдения локализации тока при обратном смещении является метод, основанный на температурной зависимости свечения люминофоров. В этом случае поверхность полупроводниковой структуры, например со стороны Р - СЛОЯ, покрывают тонким слоем люминофора и освещают ультрафиолетовым светом. Люминофор подбирают таким, чтобы его излучение лежало в видимом спектре. Затем к структуре прикладывают обратное напряжение. Участки структуры, плотность обратного тока в которых наибольшая ( например, из-за локального пробоя), перегреваются. Интенсивность же свечения люминофора резко падает с температурой. Поэтому люминофор темнеет на перегретых участках структуры. [28]
А / см2) обусловлен рекомбинацией носителей на границах зерен. Однако под влиянием границ зерен фототок уменьшается незначительно. Высокие значения напряжения холостого хода солнечных элементов со структурой металл - оксид - полупроводник на основе GaAsi xPx - я - GaAs - n - GaAs обеспечивает большая высота барьера. Согласно результатам измерений вольт-фарадных характери-ристик, ФБ1 2 эВ, что на 0 2 эВ больше высоты барьера у элементов с такой же структурой, но на основе лишь я - GaAs. При наличии слоя GaAsi xPx плотность обратного тока насыщения уменьшается на порядок величины. [29]
Страницы: 1 2