Плотность - упаковка - элемент
Cтраница 1
Плотность упаковки элементов у может быть использована при оценке степени интеграции как аппаратуры, так и отдельных ИС. Однако рассматривая аналоговую ИС, необходимо иметь в виду, что значение VK будет определяться как установочными размерами самой ИС, так и количеством и установочными размерами навесных компонентов. [1]
В устройствах МЭА плотность упаковки элементов, достигнутая в кристаллах ИМС, из-за низкой плотности проводников печатных плат, необходимости применения устройств теплоотвода и других габаритных конструкционных элементов снижается. Это направление характеризуется применением базовых процессов тонко - и толстопленочной технологии для создания многоуровневых коммутационных плат ГИФУ с высокой плотностью проводников ( вместо печатных плат), причем такие платы одновременно могут служить высокоэффективным средством теплоотвода. [2]
 |
Интегрально-гибридная конструкция преобразователя, структура к & торого приведена на рис, , б. [3] |
Высокие требования к плотности упаковки элементов конструкции могут быть выполнены при применении всех полупроводниковых приборов и интегральных микросхем в бескорпусном исполнении. Силовые транзисторы, тиристоры, диоды должны быть объединены в интегрально-гибридные схемы, например, на пластинах из окиси бериллия или поликора. Маломощные транзисторы, резисторы, микросхемы, входящие в цепи управления и защиты, также следует объединять в интегрально-гибридные схемы. В специальных отсеках корпуса герметизируются одновременно полупроводниковые приборы и сопутствующие элементы. [4]
Последние годы характеризуются резким ростом плотности упаковки элементов на кристалле, доведенной до одного миллиона логических вентилей. Цены на ПЛИС неуклонно падают. Понятно, что эта оценка весьма условна, поскольку ПЛИС не содержат вентилей 2И - НЕ в чистом виде, однако для проведения сравнительного анализа различных структур она вполне пригодна. [5]
В качестве характеристики ИМС используют также плотность упаковки элементов - количество элементов ( чаще всего транзисторов) на единицу площади кристалла. В настоящее время плотность упаковки ИМС составляет 500 - 1000 элементов / мм2 и более. [6]
В нашей работе было также обнаружено уменьшение плотности упаковки элементов структуры полипропилена в пристенном слое по сравнению с плотностью упаковки в объеме. Очевидно, структурообразование в пристенном слое затруднено не только вследствие уменьшения подвижности элементов структуры, но и из-за более рыхлой их упаковки. Нами показано, что характер зависимости структурообразования от толщины пленки для всех исследов 1нных полимеров один и тот же; однако критическое значение толщины прослойки ( А) различно для различных полимеров. Эти значения А трудно сравнивать между собой, так как молекулярные веса исследованных нами полимеров различны. Между тем известно [19, 25, 32], что с повышением молекулярного веса увеличивается адсорбция молекул полимера на поверхности раздела полимер-твердое тело. [7]
Как известно [1], основной характеристикой интеграции аппаратуры служит плотность упаковки элементов 7 / VK, где NM - Миэ Мнэ - общее число элементов в объеме конструкции VK; NHS - число элементов на кристаллах полупроводниковых или подложках гибридных ИС; Мнэ - число навесных компонентов. [8]
При выборе элементной базы и построении электронной аппаратуры важна плотность упаковки элементов в ИС, являющаяся конструктивной характеристикой ИС. Плотность упаковки зависит: от размеров подложки, на поверхности или в толще которой формируется схема; от размеров элементов; уровня рассеиваемой мощности и других факторов. [9]
Потери объема, выраженные значением qv, однозначно характеризуют и ухудшение плотности упаковки элементов. [10]
Масштабирование элементов в технике БИС и СБИС преследует две цели: увеличение плотности упаковки элементов и улучшение электрических параметров при снижении стоимости функциональной операции в расчете на кристалл. [11]
Оценивая показатели качества конструкций ячеек, отметим, что главными из них являются плотность упаковки элементов на плоскости или в объеме: ys N / S, эл / см2, yv N / V, эл / см3; коэффициенты дезинтеграции площади, объема и массы в принятом варианте компоновки ячеек: qsS / SN, qvV / VN, qm tnfmN, где S, V, т - полные суммарные площадь, объем и масса ячеек; SN, VN, mN - суммарные площадь, объем и масса полезной ( схемной) части ячеек. [12]
 |
Схема к упражне - Тогда Z 6820 Ом. нию 4. [13] |
При построении радиоэлектронной аппаратуры и при выборе ее элементной базы большое значение имеет так называемая плотность упаковки элементов. [14]
Как видно из табл. 3.1, где приведены усредненные значения величин, необходимых для оценки плотности упаковки элементов в конструкциях на аналоговых ИС, значение ky для специализированных ИС мало и можно заключить, что ЫЭЛ МИЭ. [15]
Страницы: 1 2 3 4