Cтраница 4
Сложность задания объекта - это, грубо говоря, минимально возможная длина программы для некоторой универсальной машины, с помощью которой можно закодировать объект. Сложность функционирования системы определяется минимальным временем, минимальной памятью или предельньши значениями других характеристик, ограничивающих возможности расшифровки программы, задающей поведение системы. Задачи проектирования порождают и другие показатели сложности. Увеличение плотности упаковки элементов в больших интегральных схемах увеличивает рассеиваемую мощность в кристалле. Таким образом, рост производительности ЭВМ ограничивается возможностями отвода тепла. [46]
Нетрудно проследить связь частотных и шумовых характеристик ИС с показателями интеграции аналоговой МЭА. Выбор рабочих частот аппаратуры за пределами частотного диапазона ИС, или повышение требований к чувствительности, вызывает необходимость применения в схеме транзисторов. Это число хорошо совпадает со средним числом навесных элементов ( табл. 3.3), включаемых во внешних цепях ИС. Поскольку кристаллы транзистора и аналоговых ИС соизмеримы, можно считать, что габаритные показатели МСБ на транзисторе и ИС приблизительно одинаковы. Следовательно, объединение в конструкции МСБ на ИС и МСБ на транзисторе приводит к снижению плотности упаковки элементов приблизительно в 2 раза. [47]
При проектировании ИМС с большой степенью интеграции ( БИС) необходимо решить две проблемы. Первая - возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Эти размеры определяются заданными электрическими параметрами и разрешающей способностью технологического оборудования. При этом следует учесть, что для изготовления БИС требуется более трудоемкий технологический процесс, чем для изготовления ИМС с малой степенью интеграции. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обусловливает увеличение удельной мощности рассеяния. Работа элементов в условиях повышенной температуры приводит к уменьшению надежности элементов и микросхемы в целом. Поэтому БИС, как правило, имеют специальные конструкции корпусов. [48]
При проектировании ИС с большой степенью интеграции ( БИС) необходимо решить две проблемы. Первая - возможность уменьшения геометрических размеров элементов схемы. Эти размеры определяются заданными электрическими параметрами и разрешающей способностью технологического оборудования. При этом следует учесть, что для изготовления БИС требуется более трудоемкий технологический процесс, чем для изготовления ИС с малой степенью интеграции. Увеличение плотности упаковки элементов в интегральной микросхеме обусловливают увеличение удельной мощности рассеяния. Работа элементов в условиях повышенной температуры приводит к уменьшению надежности элементов и микросхемы в целом. Поэтому БИС, как правило, имеют специальные конструкции корпусов. [49]
Стоимость и сложность конструкции многоплатной АР можно уменьшить за счет использования подрешеток; в этом случае полная АР составляется из ряда модулей. Каждый модуль содержит излучатели, выполненные с применением печатной технологии, фазовращатели и делители мощности на полосковых линиях с воздушным зазором. Модуль выполняется в виде моноблока в интегральном исполнении без соединительных кабелей. Например, фазовращатели и схемы переключения прием-передача могут быть выполнены на металлизированной керамической подложке в виде одного интегрального моноблочного субэлемента в антенном модуле. Такая технология приводит к высокой эффективности использования заданной площади и объема, к уменьшению производственных расходов и повышению надежности. Субэлементы ИАМ могут выполняться на различных подложках с высоким коэффициентом плотности упаковки элементов. [50]