Плотность - упаковка - элемент
Cтраница 3
При функционировании такой ячейки необходимо производить перезапись информации, что приводит к увеличению длительности цикла работы схемы. Однако при построении ЗУ на основе таких ячеек можно добиться повышения плотности упаковки элементов за счет того, что в ячейке памяти достаточно одного СКВИДа постоянного тока. [31]
Применение в конструкциях блоков РЭА четвертого поколения бескорпусных МСБ позволяет значительно увеличивать плотность упаковки элементов, а следовательно, получать гораздо меньшие объемы блоков при одинаковой функциональной сложности по сравнению с блоками, выполненными на корпусированных ИМС. [32]
Видно, что площадь подложки МСБ, спроектированной по принципу фрагментов, значительно меньше, чем у прототипа. Расчеты показывают, что фрагментарный метод конструирования МСБ обеспечивает выигрыш в площади подложки и в плотности упаковки элементов не менее чем в 2 5 раза. Однако указанные преимущества достигаются ценой более тщательной проработки вопросов электромагнитной совместимости элементов и компонентов МСБ. [33]
 |
Изотерма адсорбции криптона. [34] |
По-видимому, такие изотермы с неправильными ступенями - не исключение и не следствие ошибочности методик, а обычное явление, и причина их образования, на наш взгляд, обусловлена не полимолекулярной адсорбцией, а неоднородностью структуры адсорбента. В самом деле, процесс формирования структуры глобулярных адсорбентов не исключает наличия макрофлуктуаций таких параметров, как концентрация раствора, рН среды, температура, условия сушки, которые существенно влияют на характер и плотность объемной упаковки элементов структуры твердого тела. В результате этого в фазе адсорбента может быть набор участков с присущей им структурой, величиной сорбционного объема и размером цилиндрических пор, конденсационное заполнение которых дает прерывистость изотермы. [35]
Имеется много случаев, когда требуется изолировать один проводник или полупроводник от другого. При соединении элементов тонкопленочных схем на стекле [80] или на кремнии [81] требуются пересечения. Плотность упаковки элементов ( степень интеграции) обычно не должна ока зывать влияние на величину диэлектрических потерь ( tg 6 1 % вполне приемлем), однако конструкция ( топология) схемы должна обеспечить по возможности минимальное количество пересечений. В случае криогенных запоминающих устройств проблемы изоляции имеют особую специфику, которая обычно не встречается в тонкопленочных схемах, так как пленки должны выдерживать температурные циклы от комнатной до температуры жидкого гелия. Это накладывает на пленки высокие механические требования, так как изолятор должен быть термически согласован по коэффициенту расширения с подложкой. Изолятор должен также отводить тепло из зоны ( места) хранения информации. [36]
Деформационные свойства полимеров при строго эквивалентных условиях механического воздействия определяются не только химическим строением материала, но и. Морфология, размеры и плотность упаковки элементов надмолекулярных структур играют большую роль в формировании комплекса механических свойств покрытий. [37]
 |
Многоуровневая разводка в БГИС. [38] |
В первом случае для повышения технических характеристик КМДП приборов две кремниевые пластины с МДП-транзисторами изготавливаются обычными методами независимо друг от друга. Затем их лицевые поверхности сглаживают, обрабатывают плазменным травлением и через полиимидные наклеенные пленки с отверстиями устанавливают навстречу друг к другу. Такие конструкции превосходят обычные не только по плотности упаковки элементов ( в 2 раза), но и защищены толстыми кремниевыми подложками от проникающей радиации. [39]
Выпускаются КМДП-базовые матричные кристаллы ( БМК), содержащие от нескольких тысяч до десятков тысяч логических вентилей. Для реализации специализированной БИС на основе КМДП-базового кристалла обычно применяется одноуровневая металлизация. С целью обеспечения трассируемости БИС и повышения плотности упаковки элементов на базовом кристалле создают элементы подныривания проводников, в качестве которых применяются легированные дорожки в поликремниевых слоях. [40]
В таких случаях более удобны для сравнения удельные и относительные показатели конструкций. К ним относятся уже упомянутые удельная масса, плотность упаковки элементов, коэффициент дезинтеграции, удельная рассеиваемая мощность. [41]
Если проанализировать типовые схемы включения аналоговых ИС, то нетрудно заметить, что значение Ыэл независимо от принадлежности ИС к той или иной классификационной группе лежит в достаточно узких пределах. В то же время число элементов Миэ, характеризующее степень интеграции ИС, значительно возрастает при переходе от универсальных ИС к специализированным. Поэтому отношение ky NH3 / NH3 может служить показателем универсальности аналоговых ИС, а плотность упаковки элементов, выраженная через данный показатель, запишется в виде ууи ( 1 Ку), где YHNH3 / VK - плотность упаковки, определяемая числом элементов ИС. [42]
Это хорошо прослеживается на изделиях фирмы Intel Corp. Если, например, пионерский микропроцессор Intel 80386 изготавливался с проектными нормами 1 5 мкм, то следующий - Intel 80486 - уже имел 1 0 мкм, Pentium - 0 8 мкм, Pentium II и Pentium Pro - 0 6 мкм. Очевидно, что с ростом плотности упаковки элементов ИС сокращались и пути пробега электронов. Однако начиная с 0, 3 мкм - уровня проектных норм на проводники - возникли очередные проблемы, связанные с самим материалом проводников. [43]
 |
Элементы полупроводниковых ИС. [44] |
Этот метод назван изопланарным. Структура транзистора, выполненного по изопланар-ной технологии, выгодно отличается от планарной структуры ( рис. 3 - 2, б) отсутствием паразитных емкостей торцовых поверхностей перехода база-коллектор, и значительно меньшей паразитной емкостью перехода коллектор-подложка. Площадь, занимаемая транзистором, уменьшена за счет исключения боковых участков изолирующих переходов. Благодаря этому улучшены ВЧ усилительные свойства и повышена плотность упаковки элементов ИС. [45]
Страницы: 1 2 3 4