Плотность - упаковка - элемент
Cтраница 2
Кроме того, к структурам биполярных транзисторов, как и других элементов микросхем, предъявляется специфическое требование - площадь, занимаемая ими на полупроводниковой подложке, должна быть минимально возможной для повышения плотности упаковки элементов и степени интеграции. В этом состоит важное требование конструктивно-технологической совместимости элементов полупроводниковых микросхем. [16]
Следующим фактором, влияющим на габаритные размеры блока, является также применяемая элементная база и число элементов, размещаемых в блоке, но широко выпускаемые микросхемы различной степени интеграции в сочетании с МСБ позволяют пока даже при значительном увеличении числа элементов в принципиальной электрической схеме блоков сокращать их габариты, что достигается повышением плотности упаковки элементов. Дальнейшее повышение плотности упаковки связывается с увеличением степени интеграции микросхем и МСБ и достижениями в функциональной микроэлектронике. [17]
За последнее время в технологию ИМС на МДП-транзисторах был введен целый ряд усовершенствований, связанных с модификацией диэлектрика под затвором ( замена окисла SiO2 двойным слоем SiO2 / Si3N4 с целью защиты от случайных загрязнений), материала затвора ( использование молибдена или поликристаллического кремния, позволяющее получить лучшее самосовмещение и более плотное размещение элементов), материала подложки ( разработка ИМС на сапфировых подложках); заменой n - подложки с ориентацией ( 111) и-подлож-кой ( 100) с целью снижения пороговых напряжений; уменьшением размеров МДП-структур для повышения быстродействия и увеличения плотности упаковки элементов при пониженной рассеиваемой мощности и меньшей стоимости их изготовления. [19]
Установочные площадь 5куст и объем VK уст вычислены для основного варианта монтажа ИС на плате. Плотности упаковок элементов на кристалле YKP и в корпусе ук найдены для кристалла с размерами 2X2X0 8 мм и среднего числа элементов ИС ( § 3.1), выпускаемых в корпусах соответствующего типа. [20]
Включение в состав узла на МСБ конструктивно-несовместимой катушки индуктивности заметно ухудшает показатели интеграции узла. Плотность упаковки элементов ( цифры в скобках) снижается примерно в 15 раз, резко ( приблизительно в 15 раз) возрастает коэффициент дезинтеграции объема. [21]
В интегральной микросхеме все или часть элементов нераздельно связаны и электрически соединены между собой. Плотность упаковки элементов ( степень интеграции) в микросхеме может достигать десятков тысяч элементов в одном кубическом сантиметре. [22]
 |
Конструкция объемного модуля ММ-2. [23] |
Микромодулем называется миниатюрный функциональный узел, предназначенный для конструирования малогабаритной аппаратуры. Микромодули имеют плотность упаковки элементов в объеме узла в 10 - 20 раз большую, чем модули, а надежность их примерно на порядок превышает надежность модулей. В законченном виде микромодули представляют собой герметичные узлы стандартной формы и размеров, которые неремонтопригодны и в случае отказа заменяются целиком. По конструкции микромодули делятся на этажерочные и плоские. Сейчас микромодули практически полностью заменены микросхемами. [24]
 |
Эволюция геометрических размеров ИС. [25] |
Как отмечалось ранее, важной конструктивной характеристикой ИС является плотность упаковки элементов. Плотность упаковки зависит от размеров подложки, в толще или на поверхности которой формируется ИС, и от размеров элементов, из которых она состоит, от уровня рассеиваемой мощности и цепей паразитной связи, которые могут возникать при определенных условиях. Для разных типов ИС эти факторы играют различную роль. [26]
Во избежание появления дефектов типа короткого замыкания шин на этом этапе необходимо тщательно контролировать все операции фотолитографии. Точность и разрешающая способность фотолитографии в значительной степени определяют плотность упаковки элементов МДП-ИМС. Допуск на перекрытие в шаблоне металлизации рассчитывают так, чтобы все области тонкого окисла под затворами были полностью покрыты металлом. Это исключает возможность появления паразитных МДП-транзисторов. [27]
Создание БИС ( см. табл. 1.1) характеризует новый этап в развитии микроэлектроники. Высокая степень интеграции в БИС может быть обеспечена увеличением плотности упаковки элементов. Функциональная сложность БИС связана с большим числом контактов, сложным рисунком и большой площадью металлизации, а также значительной площадью для изоляции элементов. [28]
Создание БИС ( см. табл. 17.2) характеризует новый этап в развитии микроэлектроники. Высокая степень интеграции в БИС может быть обеспечена увеличением плотности упаковки элементов. Функциональная сложность БИС связана с большим числом контактов, сложным рисунком и большой площадью металлизации, а также значительной площадью для изоляции элементов. Все это требует решения схемотехнических проблем, размещения базовых элементов. [29]
 |
Основные схемы логических вентилей с инжекцией тока. а - вентиль ИЛИ. б - вентиль И. ( / а - переход Джозефсона при максимальном токе / а эффекта Джозефсона постоянного тока. [30] |
Страницы: 1 2 3 4