Плотность - дефект
Cтраница 1
Плотность дефектов - число дефектов, отнесенное к единице площади. [1]
Плотность дефектов d может быть определена как разность значений плотности дефектов пленки SiCb после проведения имитации процесса фотолитографии и ее начальной дефектностью, обусловленной способом получения. [2]
Плотность дефектов влияет на подвижность носителей. А так как площадь межзеренных границ обратно пропорциональна р азмеру зерна ( S-R - l), то электрические параметры слоев будут определяться в первую очередь размером зерен в поликристаллическом слое. Заключение о размере зерен сделано по рентгеновским данным ( по уширению дебаевских колец), а также по изучению морфологии поверхности образцов. Такая оценка показала, что повышение температуры наращивания, увеличение толщины слоя или снижение концентрации гидрида приводит к увеличению размеров зерен и как следствие этого возрастанию подвижности носителей заряда и снижению концентрации акцепторов. [3]
Плотность дефектов, образованных примесными ионами, максимальна в кристаллических решетках полностью сформированных модификаций. Изменение концентрации дефектов в зависимости от типа модификации кристаллической структуры C3S наиболее убедительно доказано для цинксодержащих твердых растворов. В процессе замещения ионов Са2 на Zn2 в узлах кристаллической решетки происходит перестройка структуры при формировании следующей модификации, которая сопровождается увеличением плотности структурных дефектов. [4]
Плотность дефектов поворотного типа ( дисклинаций) зависит от масштабного фактора. Вероятно, этот случай имеет место при растяжении поликристаллов со средним размером зерна. [5]
Плотность дефектов второго типа у поверхности подложки обычно повышена. Она определяется степенью дегазации в процессе опыта. Обработка подложки при очень низком давлении существенно уменьшает плотность этих дефектов. [6]
Возрастание плотности дефектов и связанной с их существованием избыточной энергии лимитируется предельным значением, выше которого энергетически выгодным оказывается сброс накопленных напряжений за счет полной или частичной фрагментации поверхностного слоя. В настоящее время получили развитие теории изнашивания твердых тел, в которых с различной степенью эмпиризма выводятся структурные критерии стабильности поверхностей при контактном взаимодействии. В качестве критерия образования частицы изнашивания или переноса им предлагается равенство накопленной упругой энергии и энергии, необходимой для образования новых поверхностей при фрагментации. [7]
Изменение плотности дефектов в зависимости от скорости роста наблюдалось при химическом осаждении кремния [65, 154, 166] и при кристаллизации кремния из паровой фазы в вакууме [183, 184] ( разд. [8]
Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняют движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышают сопротивление деформации и уменьшают пластичность. Наибольшее значение имеет увеличение плотности дислокаций, так как возникающее при этом между ними взаимодействие тормозит дальнейшее их перемещение. [9]
Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняют движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышают сопротивление деформации и уменьшают пластичность. Наибольшее значение имеет увеличение плотности дислокаций, так-как возникающее при этом между ними взаимодействие тормозит дальнейшее их перемещение. Напряжение сдвига т растет пропорционально корню квадратному из плотности дислокаций р: т т0 - ( - abG J / p; где т0 - напряжение сдвига до деформации, Ъ - вектор Бюргерса и а - коэффициент, зависящий от типа решетки и состава сплава. [10]
 |
Влияние степени пластической деформации Р на механические свойства низкоуглеродистой стали. [11] |
Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняют движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышают сопротивление деформации и уменьшают пластичность. Наибольшее значение имеет увеличение плотности дислокаций, так как возникающее при этом между ними взаимодействие тормозит дальнейшее их перемещение. Напряжение сдвига т растет пропорционально корню квадратному из плотности дислокаций р: т - - - - т - - abG / р; где т - напряжение сдвига до деформации, Ь - вектор Бюргерса и а - коэффициент, зависящий от типа решетки и состава сплава. [12]
Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняет движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышает сопротивление деформации и уменьшает пластичность. [13]
При деформации плотность дефектов кристаллического строения возрастает; соответственно увеличивается внутренняя энергия материала. Поэтому наклепанное состояние термодинамически нестабильно при любой температуре. Уменьшение внутренней энергии, связанное с перераспределением или снижением плотности дефектов требует, однако, энергии активации Q. В связи с этим кинетика процессов, протекающих при нагреве деформированного металла, подчиняется уравнению типа Аррениуса tT0exp ( - Q / RT), где TO и Q имеют различные значения для процессов, идущих ( практически) при различных температурах. [14]
 |
Маркерные знаки. ( в равенство зазоров ( б касания ( в равенство. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5