Плотность - дефект
Cтраница 3
В случае, если плотность дефекта с удельной электрической проводимостью CJ2, расположена под углом о. [32]
Подробнее всего изучены зависимости плотности дефектов от условий роста ( в том числе от чистоты эксперимента), а также геометрия и кристаллография различных структурных несовершенств. [33]
 |
Вольт-фарадная характеристика МОП-диода р-типа. Сох - емкость окисного слоя, Cfb - емкость плоских зон, фэ, фв - обозначения согласно, а. [34] |
Время генерации носителей зависит от плотности дефектов на границе раздела Si-ЭЮг, которая определяется технологией изготовления приборов. Следовательно, время отклика электронов в инверсном слое также зависит от технологического процесса изготовления МОП-структуры. [35]
 |
Влияние температуры наращивания на плотность дефектов в эпитак. [36] |
При температуре ниже 900 С плотность дефектов значительна, и условия снижения температуры не влияют существенно на ее величину. [37]
Таким образом, если только плотность дефектов решетки не слишком велика, то так называемое поглощение, индуцированное дефектами, дает больше информации о чистом кристалле, чем спектры самого чистого кристалла. [38]
На рис. 4.7 показано изменение плотности дефектов в процессе термообработки в пластинах с различной концентрацией примеси углерода, полученных методом Чохральского. Виды дефектов изменяются в зависимости от температуры термообработки. В пластине I типа с большей концентрацией примеси углерода при температуре до 800 С наблюдаются микроскопические выпадения точечной формы и парные дислокации, при температуре от 800 до 1100 С - выпадения примесей плоской формы, а также возникающие позже дислокационные петли и дефекты упаковки. При температуре свыше 1100 С наблюдаются только выпадения примесей восьмигранной формы. В пластине II типа с меньшей концентрацией примеси углерода при невысокой температуре около 600 С и непродолжительной термообработке парные дислокации не образуются, при температуре более 700 С наблюдаются выпадения примесей плоской формы, а дефекты упаковки почти не образуются. [39]
Это изменение происходит вследствие повышения плотности дефектов, специфического распределения и взаимодействия с растворенными атомами и частицами дисперсных выделений. В зависимости от т-ры деформирования различают низкотемпературную ( т-ра деформирования ниже т-ры рекристаллизации) и высокотемпературную термомех. Низкотемпературная обработка основывается на деформировании переохлажденного аустенита при ступенчатой закалке в процессе изотермической выдержки. Дальнейшее повышение прочности путем увеличения ( до 50 - 80 %) степени деформации сталей с более высоким содержанием углерода приводит к анизотропии св-в и хрупкому разрушению изделий. Технологические режимы высокотемпературной обработки вписываются в технологические режимы ковки и прокатки, что позволяет использовать для нее уже имеющееся оборудование. Механико-термическая обработка сочетает малую ( до 10 %) деформацию металлов с последующим нагревом, что создает структуру полигонизации. Ее применяют поело термической обработки, устраняющей текстуру горячей деформации. [40]
В стали С-75 происходит уменьшение плотности дефектов кристаллической решетки, особенно в случае, когда выдержка осуществляется в сероводородсодержащей среде с 3 % Т-66. Необходимо отметить, что и в случае стали Д добавка Т-66 несколько сдерживает процесс накопления дефектов. [41]
Как далее будет показано вычислениями, плотность дефектов в объеме и на S ( согласно данным табл. 4) при таком перемещении в системе координат, двигающейся вместе с границей, не меняется. [42]
 |
Влияние коэффициента концентрации напряжений на прочность надрезанных образцов Весго А1 - 995 ( по данным работы. Расчетное значение т 4 4. [43] |
Повышение температуры испытания увеличивает значение экспоненты плотности дефектов, откуда следует, что распределение дефектов при повышенных температурах становится более равномерным. Однако применение повышенных температур сопровождается обычно падением значения нулевой прочности. Совокупность этих факторов приводила для всех испытанных материалов к значительному уменьшению средней прочности при 1000, величина которой находится в пределах от 12 до 25 % от соответствующих значений при комнатной температуре. [44]
Объемное время жизни уменьшается с ростом плотности дефектов решетки. Увеличение концентрации примесей в полупроводнике также; уменьшает тоб. Максимальное значение тоб имеет собственный полупроводник. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5