Плотность - дефект
Cтраница 4
 |
Схема установок для жидкофазной эпитаксии. [46] |
В этих условиях получаются пленки с очень низкой плотностью дефектов и даже бездефектные. [47]
Из-за наличия в структуре закаленной стали значительном плотности дефектов ( дислокаций н др.) некоторое количество атомов углерода покидает нормальные позиции внедрения - октаэдрические поры - н образует скопления у дислокаций. Возникает состояние двухфазного распада, когда сразу же после закалки наблюдается: u: i мартенсита - один с содержанием углерода, равным его содержанию в cra. [48]
Для оценки числа дефектов прогнозируемых ИМС значения плотности дефектов ( числа дефектов на единицу длины, площади, объема или пересечение), входящие в выражения (2.6) - (2.10), определяются в результате контроля тестовых структур. Для базовых технологических процессов значения этих плотностей дефектов сохранятся и для реальных МС. [49]
С увеличением степени пластической деформации происходит увеличение плотности дефектов решетки, образующих высокоэнергетические конфигурации. При этом возникает повышенная метастабильность структуры. [50]
С увеличением степени пластической деформации происходит увеличение плотности дефектов решетки, образующих высокоэнергетические конфигурации. При этом возникает повышенная метастабильность структуры. [51]
Наконец, рассмотрим влияние способа обработки подложек на плотность дефектов и распределение примесей в эпитаксиальных слоях. Поскольку ЦТС вносят существенный вклад в образование переходных слоев в АЭС GaAs, представляется необходимым выяснить причины их появления. Появление ЦТС может быть обусловлено исходными загрязнениями подложки ( поскольку ЦТС присутствуют на травленой газом поверхности) и выделениями некоторого вещества во время эпитаксии за счет протекания некоторого неконтролируемого процесса, релаксирую-щего со временем. Для разделения этих эффектов необходимо, прежде всего, варьировать способ подготовки подложек к росту. [52]
 |
Изменение коэффициента Холла R, сопротивления р и подвижности i, для германиевых р-пленок в зависимости от их толщины. [53] |
С авторы объясняют образованием пор, препятствующих уменьшению плотности дефектов. Подвижность носителей с повышением температуры конденсации непрерывно растет. [54]
Долговечность подобных систем ограничивается субструктурными превращениями ( повышением плотности дефектов кристаллической решетки), рекристаллизацией, нарушением обратимости переходов со временем, изменением скорости нагруже-ния и скольжения, охлаждением. Такие же оценки были сделаны для фрезерных и алмазных долот с непрерывным контактом их вооружения с забоем. [55]
Наклеп - изменение структуры и свойств с увеличением плотности дефектов кристаллической решетки в веществах в результате пластической деформации. При наклепе уменьшаются пластичность и ударная вязкость, но повышаются твердость и прочность. Наклеп используется для поверхностного упрочнения изделий, но следует иметь в виду, что наклепанные металлы больше подвержены коррозии и склонны к коррозионному растрескиванию. [56]
 |
Рентгеновская голограмма серебряной пленки на кремниевой структуре.| Рентгеновская голограмма молибденовой пленки с треугольным окном на кремниевой структуре. [57] |
Следовательно, применение рентгеновской топографии ограничено материалами с низкой плотностью дефектов; ее лучше применять для материалов, обладающих высокой степенью кристаллического совершенства. [58]
ОЦК-решеткой, что позволяет выращивать анодные пленки с низкой плотностью дефектов. В случае пленок Ta2N это обусловлено меньшей величиной диэлектрической постоянной оксинитрида тантала, полученного анодированием. [59]
Очевидно, при увеличении времени размола и степени деформации плотность дефектов растет, следовательно, повышается величина микроискажений и уменьшается размер областей когерентного рассеяния. Дислокации накапливаются, а их выходу из частиц пудры препятствует образующаяся на поверхности окись алюминия. Затем целостность пленки и порошка нарушается вследствие механического воздействия или повышения плотности дислокации, достаточной для развития скольжения, или увеличения разности коэффициентов линейного расширения алюминия и его окиси, что способствует растрескиванию пленки и разрушению частичек порошка при нагреве пудры в процессе помола. Дислокации выходят из кристалла, плотность их уменьшается, уровень микроискажений снижается. Размеры областей когерентного рассеяния тоже уменьшаются, так как эти размеры и размеры отдельных порошинок близки между собой. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5