Площадь - кристалл
Cтраница 1
Площадь кристалла подразделяется на коммутационные поля ( зоны), соответствующие фрагментам БИС. При этом учитываются характер взаимных связей между отдельными фрагментами, а также результаты предварительного теплового расчета БИС. На периферии кристалла, как правило, размещаются внешние контактные площадки, входные, выходные и другие мощные каскады, за ними следует фрагменты БИС с нерегулярной структурой и далее - фрагменты с регулярной структурой. [1]
 |
Структуры узлов при щелевой изоляции.| Структура ИМС с металлизацией в изолирующих областях. [2] |
Экономия площади кристалла и, следовательно, повышение плотности компоновки элементов ИМС достигаются за счет выполнения шины питания в изолирующей области в объеме кристалла, а не на поверхности, как это делается обычно. Шина питания имеет малое сопротивление и, что особенно важно, она надежно электрически изолирована как от подложки, так и от изолированных областей. [3]
Потери площади кристалла между элементами из-за растравливания могут быть уменьшены, если использовать анизотропное травление специальными травителями. Исходная ширина канавки ( на поверхности пластины) увеличивается незначительно. [4]
Процессор имеет площадь кристалла 217 мм2, потребляет 52 Вт при частоте 1500 МГц, содержит 42 миллиона транзисторов. [5]
К - площадь кристалла ( платы); в - ( х) - вероятности проявления на отказе / - го дефекта; ht ( х) - распределение дефектов i - ro типа. [6]
 |
Логические элементы на МДП транзисторах.| КМДП инвертор. [7] |
Как правило, площадь кристалла используется эффективнее при реализации функции ИЛИ-НЕ. [8]
Аг - часть площади кристалла, чувствительная к проколам в окисле на технологической операции с порядковым номером /; di и d2 - плотности проколов, диаметры которых соответственно значительно меньше и сравнимы с размерами компонентов. [9]
Рассмотренный план обеспечивает максимальное заполнение площади кристалла, минимальное число пересечений межблочных соединений и форму кристалла, близкую к квадратной. Видно, что накопитель 1 занимает приблизительно 0 4 площади кристалла. Это соотношение справедливо для большинства ИС памяти с записью и считыванием емкостью более 256 бит. [10]
Очевидно также, что для уменьшения площади кристаллов и одновременного увеличения емкости памяти на один кристалл необходимо уменьшать размеры элементов ИС. Короче говоря, основным направлением совершенствования изделий микроэлектроники является развитие технологии миннатюпизаттии ИС. [11]
Такие резисторы располагают над транзисторами, чтобы уменьшить площадь кристалла. Большое сопротивление резисторов уменьшается с ростом температуры с высоким Т КС - 1 % / С. Поликремниевый резистор малой длины ( несколько микрометров) имеет нелинейную ВАХ, обусловленную тем, что между отдельными зернами поликремния ( размером порядка 0 1 мкм) существуют потенциальные барьеры ( высотой около 0 2 В), препятствующие прохождению электронов. [12]
 |
Зависимость является одинаковой как для отдельных. [13] |
На рис. 1.11 приведен график зависимости Т от площади кристалла и плотности дефектов, с помощью которого можно оценить выход годных схем для определенного уровня производства. [14]
В табл. 8.1 приведены значения коэффициентов рационального использования площади кристалла и количество внешних выводов для четырех соотношений числа слов и разрядов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5