Площадь - кристалл
Cтраница 2
Тем самым повышается плотность упаковки и коэффициент использования площади кристалла. [16]
Измерения прямыми методами позволяют находить и распределение температуры по площади кристалла. Естественно, что эти измерения должны производиться на таком этапе технологического процесса производства, где готовая структура прибора еще не закрыта герметичным корпусом. [17]
Разработать метод линейного размещения МДП-БИС, при котором минимизируется площадь кристалла. [18]
Таким образом, решение вопроса о повышении эффективности использования площади кристалла путем сокращения доли этой площади, отводимой под связи, предполагает использование как технологических приемов, так и специальных структурных решений схем. [19]
Естественно, что усложнение структуры БИС приводит к увеличению площади кристалла ( рис. 4.2) и к большей вероятности появления сочетаний дефектов, ведущих к отказу. В связи с этим учет корреляционных связей в модели надежности оцениваемой ИМС ( БИС) по результатам тестовых испытаний осуществляют с помощью поправочных коэффициентов или специальной функции. [20]
Наиболее быстро достигается предел увеличения числа элементов на единицу площади кристалла в схемах, рассеивающих большие мощности. У современных БИС на биполярных транзисторах, особенно у быстродействующих, величина рассеиваемой мощности достигает единиц ватт. Тепловые связи между элементами в кристалле и способы отвода тепла часто лимитируют увеличение числа элементов в микросхемах. [21]
 |
Относительное увеличение площади пластины при возрастании сложности схем.| Зависимость выхода годной продукции от площади кристалла. [22] |
Таким образом, существуют вполне определенные пределы для увеличения площади кристалла. Современный уровень технологии позволяет осуществлять выпуск БИС с приемлемым выходом годных микросхем, вплоть до размеров кристалла 6 3 X 6 3 мм. [23]
Общий критерий качества задачи компоновки БИС, при котором минимизируется площадь кристалла, оказывается равным отношению суммарной площади элементов во всех изолированных областях БИС к площади кристалла и учитывает уменьшение используемой площади БИС из-за потерь на площадях изолированных областей, а также из-за наличия изолирующей области и закраины. [24]
Как видно из (2.5) с ростом степени интеграции увеличивается доля площади кристалла, отводимая под соединения между ЛЭ. Для уменьшения этой площади необходимо повышать качество размещения ЛЭ на кристалле БИС, повышать разрешающую способность технологии изготовления, увеличивать число слоев межсоединений. Однако оба эти направления не смогут решить проблему сдерживания роста площади межсоединений, поскольку имеют свои пределы. [25]
Получается так, что более низкие слои постепенно распространяются по всей площади кристалла, утолщая его, в то время как верхние слои продолжают принимать участие в описанном выше спиралевидном росте. [26]
 |
Пленочный конденсатор в интегральном исполнении. [27] |
Из приведенной формулы следует, что при одной и той же площади кристалла емкость конденсатора можно увеличить тремя способами: а) уменьшить расстояние d между обкладками, б) применить многослойную структуру из диэлектрических и металлических слоев, в) использовать диэлектрик с высоким значением электрической постоянной. По современной технологии, однако, не удается получить стабильную пленку диэлектрика тоньше 10 нм и количество слоев больше трех, так как уменьшается плотность и электрическая прочность диэлектрических слоев, возрастают краевые эффекты. [28]
При выборе организации БИС ЗУ учитывают число внешних выводов и использование площади кристалла, которые определяются топологией отдельных элементов, блоков и БИС в целом. [29]
 |
Расположение внешних аы - [ IMAGE ] Кристалл полупроводниковой БИС водов на кристалле БИС. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5