Площадь - кристалл
Cтраница 4
Следует отметить, что критерий (5.22) не учитывает ряда технологических факторов, влияющих на значение площади S кристалла полупроводниковых БИС. В частности, значение S зависит от того, насколько удачно микроэлементы скомпонованы в изолированные области ( карманы) на кристалле БИС. Действительно, различные конструкции кристалла полупроводниковых БИС обычно имеют следующие общие области ( рис. 5.5): / - закраина кристалла; 2 - изолирующая область для электрической изоляции между карманами; 3 - активные области ( карманы), являющиеся областями монокристаллического полупроводника заданного типа проводимости и определенного значения удельного сопротивления, в которых сформированы один или несколько микроэлементов БИС. [46]
Ввиду того что для изготовления МДП-БИС требуется значительно меньшее число операций по сравнению с биполярными, площадь кристалла при одном и том же выходе годных для них значительно больи. [47]
Первое условие, как правило, выполняется хорошо, второе условие ( равномерное распределение потока по площади кристалла) выполняется более или менее удовлетворительно в транзисторах средней мощности, имеющих не слишком высокую рабочую частоту. При этом тепловой поток от кристалла постепенно расходится. Увеличение эффективного сечения теплового потока зависит от толщины и теплопроводности каждого из слоев: чем больше толщина и чем больше теплопроводность, тем, очевидно, больше расширится тепловой поток. При достаточно большом увеличении площади последующего слоя увеличение поперечных размеров теплового потока будет по порядку величины близко к толщине этого слоя. Если теплопроводности соседних слоев различаются в несколько раз, то увеличение размеров потока может изменяться в пределах от десятых долей до нескольких толщин слоя. [48]
В ряде случаев с целью улучшения согласования микросхем СВЧ по входу, а также существенного снижения площади кристалла из дорогостоящего материала, каким является арсенид галлия, ПТШ используется как согласующий элемент. Активное согласование при этом осуществляется включением ПТШ на входе микросхемы по схеме с общим затвором. [49]
 |
Схема установки для ультразвуковой обработки. [50] |
Режимы разламывания пластин на кристаллы определяются прочностью полупроводника, которая в свою очередь зависит в основном от площади кристалла и в меньшей степени от его толщины. На прочность влияет и состояние поверхности пластины. Эта величина возрастает в 2 - 5 раз после химической обработки поверхности по сравнению с прочностью после резания или шлифовки. [51]
 |
Структурная схема ЗУПВ типа 2107А. [52] |
Сравнение ЗУПВ 2107А с выпускаемым той же фирмой ЗУПВ ПОЗА показывает, что при четырехкратном увеличении информационной емкости площадь кристалла увеличилась всего на 40 %, и при равном быстродействии удельная потребляемая мощность уменьшилась в 4 раза. [53]
 |
Схема протекания тока управления в тиристоре. [54] |
Поэтому анализ процесса включения тиристора для неодномерной модели и выявление путей уменьшения времени расширения канала проводимости на всю площадь кристалла имеет большое практическое значение. [55]
 |
Организация памяти ВЕ48. [56] |
Физическая оперативная память однокристальных МК, как правило, не покрывает всего пространства внутренней памяти данных из-за нехватки площади кристалла. Так, в приборах ВЕ48 только первые 64 байта покрыты физическим ОЗУ. С усовершенствованием интегральной технологии ожидается увеличение объемов внутреннего физического ОЗУ МК и его постепенное приближение к потенциальному барьеру 256 байт. Например, в однокристальном МК ВЕ49, имеющем такую же базовую архитектуру, что и ВЕ48, объем физического ОЗУ на кристалле увеличен до 128 байт, а в 8050 все пространство в 256 байт покрыто физическим ОЗУ. [57]
Оптимизация быстродействия ячейки ассоциативного параллельного процессора ( 18 МДП-транзисторов) путем варьирования трех параметров каналов транзисторов при ограничении на площадь кристалла, занимаемого схемой, была выполнена за 30 мин. [58]
В качестве характеристики ИМС используют также плотность упаковки элементов - количество элементов ( чаще всего транзисторов) на единицу площади кристалла. В настоящее время плотность упаковки ИМС составляет 500 - 1000 элементов / мм2 и более. [59]
Одной из основных характеристик данного типа БИС является процент выхода годных схем, что связано в первую очередь с площадью кристалла. Если кристаллы обычных ИС имели размеры до 1 мм2 ( 1 0х 1 0 мм), то кристаллы БИС в настоящее время имеют размеры до 5 1 X 5 1 мм и более. В связи с тем, что выход годных ИС с увеличением размера кристалла уменьшается ( несмотря на совершенствование технологии), существует теоретический предел роста степени интеграции первого типа БИС. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5